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Correo electrónico
info@chip-nova.com
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Teléfono
15860798525
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Dirección
Habitación 206, edificio norte, edificio weiye, parque de innovación y emprendimiento 11 Torch East road, Distrito de huli, ciudad de xiamen, Provincia de Fujian
Categorías de producto
Xiamen chaoxinxin Technology co., Ltd.
Sistema in situ electromecánico de alta temperatura de microscopía electrónica de transmisión
NegociableActualización en12/14
- modelo
- Naturaleza del fabricante
- Productores
- Categoría de producto
- Lugar de origen
Descripción general
El sistema in situ de fuerza eléctrica de alta temperatura de la microscopía electrónica de transmisión aplica el control mecánico, eléctrico y térmico de la muestra a través de chips microelectrónicos, construye un sistema de control automático y medición de retroalimentación de campo múltiple compuesto de fuerza, electricidad y calor en la Mesa de muestra in situ, combinado con varios modos diferentes, como eds, eels, saed, hrtem y stem, y realiza información clave como la microestructura, la transición de fase, el Estado de Valencia de los elementos, la tensión microscópica y la evolución de la estructura y la composición en la tabla / interfaz de la muestra monitoreada en tiempo real y dinámicamente a nivel nanométrico con cambios de temperatura, campo eléctrico y fuerza aplicada en un entorno de vacío.
Detalles del producto
Nuestra ventaja
Propiedades mecánicas
1. impulsado por cerámica piezoeléctrica de alta precisión, posicionamiento digital y preciso a nivel nanométrico.
2. lograr1000℃Pruebas de propiedades micromecánicas como compresión, tracción y flexión en condiciones de calentamiento.
3.Ruido de medición mecánica de nivel nn.
4. tiene una función continua de recopilación automática de datos de carga - desplazamiento - tiempo en tiempo real.
5. tiene funciones de control de carga constante, desplazamiento constante y carga cíclica, que son adecuadas para el estudio de las características de arrastre, relajación de esfuerzo y propiedades de fatiga del material.
Excelentes propiedades térmicas
1. corrección de la medición de temperatura infrarroja de alta precisión, medición y calibración del campo térmico de alta resolución A nivel de micras para garantizar la precisión de la temperatura.
2. modo de control de temperatura de ultra alta frecuencia, excluyendo la influencia de los cables y la resistencia de contacto, la medición de la temperatura y los parámetros eléctricos es más precisa.
3. se utiliza un alambre de calentamiento de metales preciosos de alta estabilidad (material no cerámico), que es tanto un material termoconductor como un material termosensible. su resistencia tiene una buena relación lineal con la temperatura. la zona de calentamiento cubre toda la zona de observación. la velocidad de calentamiento y enfriamiento es rápida, el campo térmico es estable y uniforme, y la onda de temperatura en Estado estable es ≤ ± 0,1 ° c.
4. se adopta el método de control de temperatura de control dinámico de alta frecuencia del circuito cerrado y la temperatura ambiente de retroalimentación, el control de retroalimentación de alta frecuencia elimina el error y la precisión del control de temperatura es de ± 0,01 ° c.
5. el diseño del chip microelectromes de calentamiento compuesto de varios niveles controla la difusión térmica del proceso de calentamiento, frena en gran medida la deriva térmica del proceso de calentamiento y garantiza una observación eficiente del experimento.
Excelentes propiedades eléctricas
1. el recubrimiento protector en la superficie del chip garantiza el bajo ruido y la precisión de la medición eléctrica, y la precisión de la medición de corriente puede alcanzar.Nivel Pian.
2. diseño especial de micromecánica de microelectromechando, carga eléctrica, térmica y mecánica al mismo tiempo, y control independiente entre sí.
Software inteligente
1. separación hombre - máquina, control remoto de software del Movimiento de la nanosonda, medición automática de datos de carga y desplazamiento.
2. personalizar la curva de calentamiento del programa. Se puede definir un programa de calentamiento de más de 10 pasos, un tiempo de temperatura constante, etc. al mismo tiempo, se puede controlar manualmente la temperatura y el tiempo objetivo. durante el proceso de calentamiento programado, se encuentra que es necesario cambiar la temperatura y la temperatura constante. el plan experimental se puede ajustar inmediatamente para mejorar la eficiencia experimental.
3. se incorpora un programa de calibración de escala de temperatura absoluta, y cada control de temperatura de cada chip puede volver a ajustar y corregir la curva de acuerdo con los cambios de resistencia para garantizar la precisión de la temperatura de medición y garantizar la reproducibilidad y fiabilidad del experimento de alta temperatura.
Parámetros técnicos
| categoría | proyecto | parámetro |
| parámetros básicos | Material del cuerpo de la barra | Aleación de titanio de alta resistencia |
| modo de control | Cerámica piezoeléctrica de alta precisión | |
| ángulo de inclinación | Alfa ≥ ± 20 °, resolución de inclinación inferior a 0,1 ° (el rango real depende de la microscopía electrónica de transmisión y el modelo de bota polar) | |
| Microscopía electrónica aplicable | Thermo Fisher / FEI, JEOL, Hitachi | |
| BOTAS extremas aplicables | ST, XT, T, BioT, HRP, HTP, CRP | |
| (HR) TEM/STEM | apoyo | |
| (HR) EDS/EELS/SAED | apoyo |
Casos de aplicación
Experimento de compresión mecánica de nanocolumnas de cobre a 600 ° C
Los Sistemas microelectromecánicos (microelectromecánicos), caracterizados por pequeñas formas y tamaños o escalas de operación extremadamente pequeñas, son cada vez más valorados, lo que traerá una serie de dificultades a las pruebas convencionales de tracción y compresión para muestras con escalas inferiores a 100 micras. Los experimentos de nanocompresión, debido a que solo se produce una pequeña presión en el volumen local de la superficie del material, se están convirtiendo gradualmente en el principal modo de trabajo para la medición de las características mecánicas a escala micro / nanométrica. Por lo tanto, es necesario llevar a cabo investigaciones experimentales sobre el comportamiento de deformación de los materiales a escala micro - nanométrica. Con el fin de estudiar el comportamiento de deformación a escala micro - nanométrica de los materiales cúbicos centrales de la superficie monocristalina, se analizó el comportamiento de deformación plástica inicial de los nanopilares de cobre y la influencia de los defectos cristalina en la deformación plástica inicial del cobre monocristalino utilizando el experimento de compresión nanométrica como medio principal. Los resultados muestran que la columna de cobre muestra una mayor deformación elástica durante la nanocompresión. Al mismo tiempo, se analizan las causas y los efectos de las protuberancias en los materiales circundantes comprimidos, y se cree que las protuberancias en los materiales circundantes durante la compresión de nanocolumnas de cobre causarán una dureza nanométrica excesiva y un módulo de elasticidad medido. Con el fin de estudiar el efecto de la heterogeneidad de la morfología de la superficie en el comportamiento de deformación plástica inicial de la nanocolumna de cobre, los defectos de la superficie a nivel nanométrico se prepararon en la superficie de la nanocolumna de cobre mediante el método de calentamiento, y los datos experimentales de nanocompresión de los defectos de la superficie se compararon y analizaron, lo que demuestra que la existencia de defectos de la superficie afectará en gran medida la deformación plástica inicial de la nanocolumna de cobre. A través del microscopio electrónico de transmisión, se observó la morfología de la dislocación alrededor del punto de compresión de la nanocolumna de cobre. además de observar la dislocación generada alrededor de la nanocompresión, también se encontró la coexistencia de errores de capa, dislocaciones incompletas y anillos de dislocación. Muestra que la deformación plástica inicial de los nanopilares de cobre está estrechamente relacionada con la aparición de dislocaciones.
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