Deposición de capa atómica mejorada por plasma peald

Modelo: at650p / 850p (mejorado por plasma) at650t / 850t (caliente)

AT650T / 850TSe puede actualizar a at650p / 850p en el sitio del usuario

Parámetros técnicos:

·Pequeño tamaño de plasma de escritorio

·La temperatura de la matriz es tan alta como 400 ℃.

·Con fuente de cátodo hueco

Tasa de crecimiento más rápida

Mayor densidad electrónica

Menor daño por plasma

Menos contaminación por oxígeno

·Plasma hueco configurado con radiofrecuencia de alta frecuencia

·Un sistema de plasma económico al costo de la ALD térmica

·3 fuentes de metales orgánicos (se pueden calentar a 185 ° c), 1 Fuente de temperatura constante (se puede actualizar a 185 ° c) y hasta 4EspecieFuente de oxidantes / reductores

·Válvula ALD de pulso rápido resistente a altas temperaturasLa puerta,Equipado con metano ultrarápido para soplar gas inerte integrado - estándar

·Sustrato de hasta 6 u 8 pulgadas y disponible con Chuck / base personalizada

·Se puede lograr una alta cobertura en modo de reacción estática

PoderOfertaSelecciónArtículo:

·Chuck / base personalizada

·QCM(PiedraInglésCristalCuerpo y microcieloPlano(...)

·Diseño de ampollas para su botella

·Cerradura de carga (o interfaz de la guantera)

·Línea de reacción común (control de metano) (se pueden agregar hasta 2)

·Actualización adicional de la tubería de calefacción del cuerpo delantero a 185 ° C,Un total de 4 artículos

Sistema personalizado de consulta

Caso del cliente:

Global 1Más de 00 usuarios, varios usuarios que compran repetidamente:

Universidad de Harvard

Universidad de helsinki..Profesores Mikko Ritala y Matti Putkonen(...)

PanGrupo forestal(LAM) (Más de 3 unidades(...)

Universidad de oxford..Más de 2 unidades,Prof Sebastián Bonilla(...)

Instituto Nacional de Ciencias de los materiales..Japón, varias estaciones(...)

Universidad de tokio..Varias estaciones(...)

Universidad de waseda..Varias estaciones(...)

Northwestern University (estados unidos)

Universidad de Cambridge (reino unido)

Universidad de les

Universidad de Columbia Británica (canadá)

ENS - París (francia, Universidad Normal superior)

北京量子研究院

Universidad de Pekín

Universidad de Bristol (reino unido)

Universidad de sheffield, etc.

Uso específico de los clientes de compra repetida:

1. Universidad de Waseda(waseda university) (tokio, japón) - sensores, modificación de superficie, litografía nanoimpresa, fabricación de excelentes agujeros a través (aist) - prefectura de ibaraki, Japón

2. Universidad de Waseda(universidad de waseda) (tokio, japón) – sistema ¿ 2; Aplicaciones similares. Universidad Nacional de yokohama, Prefectura de kanagawa, Japón

13. Instituto Nacional de Ciencias de los materiales(nims) ¿ 1 (prefectura de ibaraki, japón) - fonones en la superficie y la película; Elementos ionizantes de baja dimensión a escala atómica; División orbital giratoria en nanomateriales

14. Instituto Nacional de Ciencias de los materiales(nims) ¿ 2 (prefectura de ibaraki, japón) - transporte relacionado con el giro en nanotubos de carbono; Fabricación de nanohuecos y transporte molecular; Ingeniería de brecha de banda en grafeno; Transistor orgánico

21. Private Company (portland, oregón, Estados unidos)Preparación de muestras de tem; HfO2, Al2O3, Ta2O5

22. Precision tem (santa clara, california, Estados unidos) -Preparación de muestras de tem; HfO2, Al2O3

43. empresa privada tk (private Company tk) (prefectura de miyagi, japón) - preparación de muestras tem

44. empresa privada (portland, oregón, Estados unidos) - preparación de muestras tem; HfO2, Al2O3, Ta2O5

45. Universidad de Tokio(universidad de tokyo) (japón) - excelente proceso ALD

93. Universidad de Tokio(universidad de tokyo) - tokio, Japón - Dr. onaya

91. Panlin Group(Investigación LAM) – Tuvalain, oregón, Estados Unidos(Tualatín)

97. Panlin Group(lam) sistemas ¿ 2 - tuvalain, oregón, Estados Unidos

98. panlin Group (lam) Systems ¿ 3 - tuvalain, oregón, Estados Unidos

99. Universidad de Oxford(universidad de oxford) - oxford, Reino Unido - Prof Sebastian Bonilla

100. Universidad Tokushima (japón)

101. Universidad de Helsinki(Universidad de Helsinki) (Finlandia) Profesores Mikko Ritala y Matti Putkonen

102. applied materials - Estados Unidos

103. Universidad de Oxford(universidad de oxford) (oxford, Reino unido)