Sistema de depósito de capa atómica térmica de escritorio de gran tamaño ALD

Tecnología de deposición de capa Atómica térmica, con un área de hasta37 centímetros cuadrados

Sistema de depósito de capa atómica térmica de escritorio de gran tamaño

· para cavidades de aluminio para tabletas de 37 centímetros cuadrados (tipo de segunda generación)

· adecuado para 8 obleas de 6 pulgadas o 4 obleas de 8 pulgadas y con buena uniformidad (otros tamaños de obleas se pueden personalizar)

· 4 puertos para calentar las líneas del cuerpo delantero (personalizables)

·Calefacción de la cámara con calentador de bobina de alta potencia incorporado, hasta 275 ° C

· sistema de interfaz PLC / hombre - máquina que integra el control directo y la función de control de cuadernos remotos

· con un dispositivo de control de flujo de soplado de gas emocional de respuesta rápida con metano, la válvula de cierre de la Cámara integrada se puede aplicar a la opción de modo de crecimiento de alta exposición (estático)

· todo el hardware y software cumple con las guías semi - s2 y NFPA - 79

· cumple con el estándar semi s2

· opción de vacío lento adicional

· monitoreo opcional de la temperatura del precursor, con función de retroalimentación en tiempo real y control del ciclo de pulso

· tanques de gas combustible opcionales con pantalla LCD para rastrear el peso

Cómo funciona el equipo ALD

El sistema de depósito de capa Atómica (ald) consta de varios componentes básicos: la fuente del precursor y su válvula de reacción, la Cámara de reacción con plataforma de control de temperatura (o clamp), el gas inerte y el sistema de vacío (o sistema de soplado). El proceso alternará la introducción de precursores y reactivos, introduciendo solo uno a la vez, durante el cual habrá un paso de barrido. Esto evita que los precursores reaccionen en fase gaseosa, asegurando así que solo se realicen reacciones específicas de la superficie. El resultado es la formación de una capa de deposición monomolecular en cada ciclo, logrando así el control del crecimiento de la película a escala Atómica. La reacción es autolimitada, lo que significa que una vez que el precursor reacciona con la superficie y llena los sitios activos disponibles (para óxidos, grupos hidroxi, etc.), la reacción ya no puede continuar.

Enrique TechnologiesEl sistema de depósito de capa atómica de escritorio desarrollado es fácil de operar y mantener, con excelentes funciones de gestión de disipación de calor, fuentes de plasma personalizables y funciones de automatización impulsadas por software, y puede soportar procesos de depósito de capa atómica mejorados por calor y plasma. Estas herramientas son escalables - desde equipos de mesa experimental compatibles con la guantera hasta sistemas completos de obleas de 12 pulgadas - y están cuidadosamente diseñadas para lograr la máxima estabilidad del proceso, facilidad de uso e integración en diversos entornos de laboratorio.

áreas de aplicación

Enrique TechnologiesLa tecnología ALD es una base importante para el desarrollo de la próxima generación de semiconductores, equipos de almacenamiento de energía, dispositivos optoelectrónicos y materiales biocompatibles. Sus propiedades, capaces de cubrir uniformemente las nanoestructuras, las hacen esenciales en las siguientes áreas:

·Microelectrónica y tecnología de sistemas micromecánicos para capas dieléctrico y barrera de puerta

·Baterías de estado sólido y supercondensadores para recubrimientos de electrodos y electrolitos

·Recubrimientos ópticos en rejillas, lentes y estructuras fotónicas

·Catálisis y desarrollo de pilas de combustible, en las que la tecnología de depósito de capa atómica puede lograr una modificación de superficie controlable

·Equipos biomédicos que requieren películas resistentes a la corrosión y bioinertes

·Pasivación de la superficie y tratamiento de encapsulamiento de materiales degradables

A medida que la industria avanza hacia equipos más pequeños, más rápidos y más eficientes, la importancia de la tecnología de deposición de capas atómicas también aumenta día a día.

Casos de clientes

* más de 100 usuarios, varios usuarios que compran repetidamente:

♢ Universidad de Harvard

- Universidad de Helsinki (catedrático Mikko Rita y Matti putkonen)

♢ panlin Group (lam) (más de 6 unidades)

- Universidad de Oxford (más de 2 unidades, Prof Sebastian bonilla)

Instituto Nacional de Ciencias de los materiales (japón, varias estaciones)

♢ Universidad de Tokio (múltiples)

♢ Universidad de Waseda (múltiples)

♢ Northwestern University (estados unidos)

♢ Universidad de Cambridge (reino unido)

- Universidad de les

♢ Universidad de Columbia Británica (canadá)

- ENS - París (francia, Universidad Normal superior)

♢ 北京量子研究院

♢ Universidad de Pekín

♢ Universidad de Bristol (reino unido)

♢ Universidad de sheffield, etc.

Aplicaciones específicas para clientes de compra repetida

1. Universidad de Waseda (tokio, japón) - sensores, modificación de superficie, litografía nanoindentada, * fabricación a través de agujeros (aist) - prefectura de ibaraki, Japón

2. Universidad de Waseda (tokio, japón) - sistema ¿ 2; Aplicaciones similares. Universidad Nacional de yokohama, Prefectura de kanagawa, Japón

3. Instituto Nacional de Ciencias de los materiales (nims) ¿ 1 (prefectura de ibaraki, japón) - fonones en la superficie y la película; Elementos ionizantes de baja dimensión a escala atómica; División orbital giratoria en nanomateriales

4. transporte relacionado con el giro en nanotubos de carbono en el Instituto Nacional de Ciencias de los materiales (nims) ¿ 2 (prefectura de ibaraki, japón); Fabricación de nanohuecos y transporte molecular; Ingeniería de brecha de banda en grafeno; Transistor orgánico

5. preparación de muestras tem de Private Company (portland, oregón, Estados unidos); HfO2, Al2O3, Ta2O5

6. precisión tem (santa clara, california, Estados unidos) - preparación de muestras de tem; HfO2, Al2O3

7. empresa privada tk (private Company tk) (prefectura de miyagi, japón) - preparación de muestras tem

8. preparación de muestras tem de Private Company (portland, oregón, Estados unidos); HfO2, Al2O3, Ta2O5

9. Universidad de Tokio (japón) - * Proceso ALD

10. Universidad de Tokio - tokio, Japón - Dr. onaya

11. Grupo panlin (lam research) - tualatin, oregón, Estados Unidos

12. panlin Group (lam) Systems ¿ 2 - tuvalain, oregón, Estados Unidos

13. panlin Group (lam) Systems ¿ 3 - tuvalain, oregón, Estados Unidos

14. Universidad de Oxford - oxford, Reino Unido - Prof Sebastian Bonilla

15. Universidad Tokushima (japón)

16. profesor Mikko Rita y Matti putkonen, Universidad de Helsinki (finlandia)

17. applied materials (amat - applied materials) - Estados Unidos

18. Universidad de Oxford (oxford, Reino unido)