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CVD de depósito de película fina

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Descripción general

El sistema de depósito de plasma si 500D es un dispositivo ICP - pecvd que utiliza una fuente de plasma de alta densidad ICP para depositar películas aislantes. Las películas sio2, si3n4 y sioxny de alta calidad se pueden depositar a temperaturas extremadamente bajas (+ amp; lt; 100 amp; ¿ 186; c). Se puede lograr un ajuste continuo del espesor, el índice de refracción y el estrés de la película depositada.

Detalles del producto

SENTECH ICPSistema de depósito por plasma - Si 500D

Es el principal fabricante de equipos semiconductores, desarrollando, fabricando y vendiendo buenos instrumentos de medición de película delgada (reflector, elipsometro, elipsometro espectral) y equipos de proceso de plasma (máquina de grabado de plasma, sistema de depósito de plasma, sistema personalizado del usuario).

SI 500DEl sistema de deposición por plasma es un dispositivo ICP - pecvd que utiliza una fuente de plasma de alta densidad ICP para depositar películas dieléctrico. Las películas sio2, si3n4 y sioxny de alta calidad se pueden depositar a temperaturas extremadamente bajas (menosde 100 ° c). Se puede lograr un ajuste continuo del espesor, el índice de refracción y el estrés de la película depositada.

SI 500 DCaracterísticas principales:

  • Adecuado para chips de 8 pulgadas y siguientes

  • Película dieléctrica de alta calidad depositada a baja temperatura: 80 ° C a 350 ° C

  • Depósito de alta velocidad

  • Baja lesión

  • Las características de la película (espesor, índice de refracción, estrés) son ajustables continuamente.

  • Fuente de plasma PTSA de antena tripolar plana..PlanarTmadurasSpiralAntenna)

  • SENTECHSoftware avanzado de operación de equipos de plasma

  • Método de instalación a través de la pared

Configuración del sistema: