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Categorías de producto
Shanghai peiyuan Instrument and Equipment co., Ltd.
Máquina de grabado de plasma CCP
NegociableActualización en01/14
- modelo
- Naturaleza del fabricante
- Productores
- Categoría de producto
- Lugar de origen
Descripción general
La máquina de grabado por plasma CCP (plasma echer) es un dispositivo comúnmente utilizado en el campo del micromecánicado para el procesamiento fino y la definición de patrones de dispositivos semiconductores, elementos ópticos, biochips y otros materiales. Su principio se basa en la tecnología de plasma, que produce plasma descargando gas, utilizando iones y radicales libres en el plasma para reacciones químicas y grabado físico de la superficie del material.
Detalles del producto
La máquina de grabado por plasma CCP (plasma echer) es un dispositivo comúnmente utilizado en el campo del micromecánicado para el procesamiento fino y la definición de patrones de dispositivos semiconductores, elementos ópticos, biochips y otros materiales. Su principio se basa en la tecnología de plasma, que produce plasma descargando gas, utilizando iones y radicales libres en el plasma para reacciones químicas y grabado físico de la superficie del material. Principio de funcionamiento:
1. introducir gases (como los gases fluorados) en la Cámara de reacción para descargar el gas a través de una fuente de potencia de radiofrecuencia (rf) o una fuente de microondas. Los campos eléctricos y la energía producidos durante la descarga estimulan las moléculas de gas y forman plasma.
2. las moléculas de gas se estimulan a especies activas como iones, electrones y radicales libres. Estas especies activas producen reacciones químicas en la superficie del material, como fluoración, oxidación, sílice, etc., cambiando así las propiedades químicas de la superficie.
3. los iones y los radicales libres aplican energía a la superficie del material, lo que conduce a la eliminación de átomos o moléculas en la superficie del material. Este proceso de grabado físico hace que la superficie del material se desprenda gradualmente, logrando un procesamiento fino del material y la definición del patrón.
4. el grabado selectivo de diferentes materiales se puede lograr controlando parámetros como el tipo de gas, la Potencia de descarga y la presión de la Cámara de reacción. Por ejemplo, se puede lograr un grabado selectivo de materiales como silicio, nitruro de silicio y óxido de silicio.
5. por lo general, también está equipado con funciones auxiliares como sistemas de vacío, sistemas de control de temperatura y sistemas de control de flujo de gas para garantizar la estabilidad y controlabilidad del proceso de grabado.
La máquina de grabado de plasma CCP winetc es un sistema de plasma CCP rentable diseñado para la investigación científica y las necesidades de uso de los clientes de investigación y desarrollo empresarial. Como sistema multifuncional, obtiene un proceso de grabado CCP de alto rendimiento a través de un diseño optimizado del sistema y un esquema de configuración flexible. La estructura del equipo es compacta y ocupa un pequeño área, y el diseño mecánico de la industria y el software de operación automatizado optimizado hacen que el equipo sea fácil de operar, seguro y estable y repetible.
El grabado CCP es una tecnología de micro - nanoprocesamiento común, que se utiliza ampliamente en la fabricación de dispositivos semiconductores, la fabricación de dispositivos ópticos, la fabricación de chips biológicos y otros campos. El principio es utilizar un campo eléctrico alternativo de alta frecuencia para producir plasma, bajo la acción del plasma, la superficie del material se somete a reacciones químicas y colisiones físicas, logrando así el grabado del material.
El sistema de grabado winetc de la máquina de grabado de plasma CCP produce plasma de alta densidad a través del acoplamiento capacitivo (ccp), que realiza el grabado selectivo de materiales dieléctrico (como óxido de silicio sio2, nitruro de silicio sinx, etc.) de acuerdo con el patrón de la máscara (como la máscara fotorresistente).
El sistema CCP se compone principalmente de las siguientes partes: Cámara de reacción, apagado, cabeza de pulverización (encendido), fuente de alimentación de radiofrecuencia, sistema de vacío, Cámara de vacío previa, sistema de circuito de gas, sistema de control y software, accesorios de apoyo, etc.
Características del producto de la máquina de grabado de plasma winetc:
- buena morfología del grabado y propiedades del proceso
Alta relación de selección, alta tasa de grabado
- bajos costes de propiedad y consumo
Parámetros técnicos de la máquina de grabado por plasma winetc:
Tamaño de la obleas: compatible con 6 / 8 pulgadas
Proceso aplicable: grabado por plasma
Materiales aplicables: sio2, si3n4, etc. dominio aplicable: semiconductores compuestos, MEMS、 Dispositivos de potencia, investigación científica y otros campos
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