El siguiente es el proceso específico de recubrimiento de película conductora para muestras de microscopía electrónica de escaneo con un recubrimiento de pulverización de magnetrón de radiofrecuencia:

1. preparación previa

Selección de objetivos adecuados: de acuerdo con las propiedades de la película requerida, se seleccionan los objetivos correspondientes, los más comunes son oro, platino, aleación de paladio dorado, plata, plomo, cobre, cromo, antimonio, etc. Diferentes objetivos afectarán las características de rendimiento de la película conductora formada finalmente.

Preparación del sustrato (muestra): asegúrese de que la superficie de la muestra a recubrir esté limpia y libre de contaminación, y si es necesario, se pueden realizar operaciones de pretratamiento como molienda, pulido o limpieza química para garantizar una buena adherencia y efecto de recubrimiento.

2. vacío del sistema de recubrimiento por pulverización de magnetrón de radiofrecuencia

Activar el dispositivo relacionado con el equipo: encender el agua circulante, encender la fuente de alimentación general, luego activar la "bomba mecánica de la Cámara de recubrimiento" y la "bomba mecánica de la Cámara de muestra", y luego abrir dos válvulas de 35 ángulos a la posición máxima. Cuando el vacío térmico muestra una presión inferior a 10 pa, cierre estas dos válvulas de 35 ángulos; Después de eso, abra la "válvula de etapa delantera de la Cámara de recubrimiento" y la "válvula de etapa delantera de la Cámara de muestra", inicie la bomba molecular y presione el botón verde de "operación". Finalmente, abra la válvula de compuerta de la Cámara de recubrimiento y la Cámara de muestra hasta que esté completamente abierta (en sentido contrario a las agujas del reloj hasta el final). Espere a que la frecuencia de la bomba Molecular alcance un Estado estable, como la Cámara de recubrimiento alcanza los 400 Hz y la Cámara de muestra alcanza los 450 hz. en este momento, vea los cambios numéricos en la ventana de visualización al vacío y continúe con los pasos posteriores.

Monitorear el vacío: preste mucha atención al aumento del vacío durante todo el proceso hasta alcanzar el nivel de alto vacío predeterminado. El ambiente de alto vacío ayuda a reducir la interferencia de las impurezas de gas en el proceso de pulverización y garantizar la calidad y pureza de las películas depositadas.

3. ajuste de los parámetros de pulverización

Establecer parámetros como la Potencia de radiofrecuencia, la presión de trabajo, el flujo de gas y el tiempo de deposición: la configuración específica de estos parámetros debe determinarse en función del propósito experimental y el tipo de sustrato, y la configuración razonable de los parámetros es un factor clave para garantizar la uniformidad y adherencia de la película. Por ejemplo, al ajustar la Potencia de radiofrecuencia, se puede controlar el tamaño de la energía del objetivo de bombardeo de iones; La presión de trabajo y el flujo de gas afectan la concentración y distribución del plasma; El tiempo de deposición determina el espesor de la película.

4. el recubrimiento de pulverización de magnetrón de radiofrecuencia comienza el proceso de pulverización

El preprint limpia la superficie del objetivo: el preprint se realiza después de encender la fuente de alimentación de radiofrecuencia y dura un período de tiempo (como unos 10 minutos), con el objetivo de limpiar posibles óxidos u otros contaminantes en la superficie del objetivo y hacer que la película resultante de la deposición formal posterior sea más pura.

Depósito formal de película delgada: después de completar el preprint, abra la Mesa de muestras para controlar la fuente de alimentación y presione el botón de "arranque" para que la Mesa de muestras comience a girar. Al mismo tiempo, se abre el deflector del objetivo y el interruptor del deflector de la muestra, cuando comienza oficialmente el recubrimiento por pulverización. Durante el proceso de pulverización, la presión se puede ajustar dos veces según sea necesario para mantenerla dentro del rango establecido para garantizar la estabilidad de calidad de la película.

5. reprocesamiento (opcional)

Operaciones como el tratamiento térmico, el tratamiento láser o la modificación química según sea necesario: si hay requisitos especiales para la película depositada, como mejorar las propiedades cristalinas, mejorar ciertas propiedades físicas, etc., se puede realizar el proceso de reprocesamiento correspondiente después de la finalización del chorro. Pero este no es un paso necesario, hay que decidir si se implementa y cómo se implementa de acuerdo con las necesidades específicas de la Aplicación.

6. el recubrimiento de pulverización de magnetrón de radiofrecuencia termina la operación

Cierre el equipo: después de que el tiempo de recubrimiento alcance el valor establecido, primero cierre el deflector (incluido el deflector de la Mesa de muestra y el deflector del objetivo), detenga la rotación de la Mesa de muestra y presione el botón "stop" de la Mesa de muestra. Luego apague la perilla de potencia de la parte de control del instrumento al mínimo, para la fuente de alimentación de radiofrecuencia, primero presione rojo para apagar y luego presione amarillo para apagar; La fuente de alimentación de corriente continua se apaga directamente en rojo. A continuación, apague la fuente de alimentación de control de flujo de aire ar, ajuste el flujo al número de pantalla 0 y opere el "control de válvula" al Estado "apagado". Finalmente, se cierran otros equipos y válvulas relacionados a su vez para completar todo el proceso de recubrimiento.

7. extracción de muestras

Retire después de confirmar el equilibrio de la presión atmosférica: antes de cerrar todos los equipos y restaurar la presión atmosférica, asegúrese de que la Cámara de recubrimiento coincide con la presión atmosférica de la Cámara de muestra (tanto la presión atmosférica como el vacío), luego encienda la iluminación de las dos cámaras y retire cuidadosamente la muestra recubierta con película conductora.