Fotorresistente

RZJ-304FotorresistenteEs positivo producido por Suzhou ruihongFotorresistenteA continuación se detalla:
componente
Se compone principalmente de acetato de éter monometílico de propilenglicol, resina de Cresol - formaldehído - formaldehído (cas - no.9016 - 83 - 5, concentración 21%), éster de ácido 6 - diazo - 5,6 - dihidrógeno - 5 - oxo - 1 - naftalenosulfónico con 2,3,4 - trihidroxibenzofenona (cas - no.68510 - 93 - 0, concentración 6%).
Características de rendimiento
Alta precisión de litografía: puede lograr patrones de litografía más finos, el ancho de línea y el espaciamiento pueden alcanzar tamaños más pequeños, adecuados para procesos de micro - nanoprocesamiento con altos requisitos de precisión de litografía, como la fabricación de circuitos integrados, el procesamiento de Sistemas microelectromecánicos (microelectromecánicos) y otros campos.
Buena resolución: buena resolución, capaz de transferir claramente los gráficos de la máscara al sustrato, y buena presentación de estructuras gráficas complejas, ayuda a fabricar dispositivos micro y Nano de alta precisión y alto rendimiento.
Fuerte adaptabilidad del proceso: se puede adaptar a una variedad de condiciones del proceso de litografía, como diferentes energías de exposición, tiempo de desarrollo, etc. Dentro de un cierto rango de parámetros de proceso, se puede obtener un efecto de litografía estable y confiable, lo que le permite tener una mejor flexibilidad de aplicación bajo diferentes entornos de producción y requisitos de proceso.
Mejor adherencia al sustrato: con materiales de sustrato semiconductores comunes, como pastillas de silicio, etc., tiene una buena adherencia, puede adherirse firmemente a la superficie del sustrato y no es fácil de aparecer durante la litografía.FotorresistenteEl fenómeno de desprendimiento o desprendimiento garantiza así la integridad y precisión de los patrones fotolitográficos.
Parámetros técnicos
Viscosidad: disponible en dos especificaciones: 25 MPa · s y 50 MPa · S.
Desarrollador de dispensación: rzx - 3038.
Condiciones del proceso recomendadas
Recubrimiento: temperatura 23 ℃, utilizando el método de recubrimiento giratorio, se puede obtener un espesor de película de 1,0 a 3,5 micras.
Hornear hacia adelante: hornear a 100 ° C en una placa caliente durante 90 segundos.
Exposición: la energía de exposición es de 50 a 75 MJ / CM 2.
Desarrollo: a 23 ° c, se utiliza un Desarrollador rzx - 3038, con un tiempo de desarrollo de 1 minuto, que se puede rociar o remojar.
Limpieza: limpiar con agua desionizada durante 30 segundos.
Hornear hacia atrás: hornear durante 120 segundos a 120 ° C en una placa caliente.