Espectrómetro de estructura fina de absorción de rayos X de Flujo óptico súper alto

"Trasladar" el dispositivo de Radiación Sincrotrón al laboratorio

Espectrómetro de estructura fina de absorción de rayos X de Flujo óptico súper altoVentaja

Los datos son confiables: los datos son altamente consistentes con la Radiación Sincrotrón

Rango energético: 4,5 - 15 kev, se puede ampliar a 20 keV

Elementos de prueba: realización de pruebas de metales de transición 3d, 5d, elementos de tierras raras

Autonomía y control: el 90% de los componentes son autónomos y controlables, sin riesgos de política

Producción de alto rendimiento: ayudar a los clientes a publicar más de 120 artículos de alta gama en un año

Alto rendimiento: prueba de muestra de contenido del 1% completada en 1 hora

Alto flujo de luz: > 200000 photons sec@8keV

Simple y fácil de usar: solo se necesita medio día de entrenamiento para operar en la máquina

Bajo costo de mantenimiento: no se necesita personal especial para mantener, operar, gestionar, etc.

Espectrómetro de estructura fina de absorción de rayos X de Flujo óptico súper altoPrincipio

La estructura fina de absorción de rayos X (xafs), también conocida como espectro de absorción de rayos X (xas), es una poderosa herramienta basada en fuentes de Radiación Sincrotrón para estudiar la estructura atómica o electrónica local de materiales, ampliamente utilizada en catálisis, energía, nanomateriales y otros campos térmicos.

Rapidxafs está diseñado con un monocromador Roland de tipo Johann único, sin necesidad de una fuente de radiación sincrotrón, y los rayos X emitidos por la fuente de luz puntual cumplen con la ecuación de Bragg y se difractan para converger en el detector de roland, obteniendo una luz monocromática de diferentes energías cambiando el ángulo de bragg, logrando así pruebas xafs de alta calidad en laboratorios convencionales.

Espectro xafs:

Estructura cercana a la absorción de rayos X (xanes)

Estructura fina de absorción de rayos X extendida (exafs)

EXAFS

El rango de energía es de aproximadamente 50 EV a 1000 EV después del borde de absorción, que proviene del resultado del efecto de dispersión única de un solo electrón entre los átomos circundantes y los átomos de absorción estimulados por rayos X.

XANES

El rango de unos 10 EV antes del borde de absorción a unos 50 EV después del borde de absorción proviene principalmente del efecto de dispersión múltiple de electrones únicos entre los átomos circundantes y los átomos de absorción estimulados por rayos X.