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Shenzhen Zetuo Biotechnology Co., Ltd
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British osila chip s403 ofet test chip s411

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Descripción general

¡El chip de prueba de osila s403 ofet del Reino Unido s411 $r $n el agente de osila del Reino unido, * entrega puntual, ¡ bienvenidos clientes nuevos y antiguos!!!

Detalles del producto

Solo para estudios experimentales con animales, etc.

Especificaciones

Sustrato / Puerta Silicio (dopado con p)
Puerta dieléctrica Dióxido de silicio crecido térmicamente a 300 nm
Electrodos fuente-drenaje Capa de adhesión de platino (100 nm) / titanio (5 nm)
Método de deposición Pulverización de plasma
Método de dibujo Fotolitografía

British osila chip s403 ofet test chip s411

Aplicaciones

Los sustratos de alta densidad Ossila cuentan con 20 OFET que pueden beneficiar su investigación de varias maneras. En primer lugar, el coste de producción se reduce como resultado de un mayor volumen de OFET por sustrato en comparación con los equivalentes de baja densidad. Esto puede ayudar a estirar su presupuesto para permitirle producir y probar un mayor número de OFET.

En segundo lugar, producir OFET es un proceso mucho más rápido y menos laborioso. El tiempo de fabricación se reduce hasta en un 50% cuando se usan OFET prefabricados de alta densidad, liberando más tiempo para probar los dispositivos. Como resultado, se pueden producir mayores volúmenes de estadísticas que a su vez pueden proporcionar una investigación más robusta y fiable.

British osila chip s403 ofet test chip s411

Además, la variabilidad de OFET se reduce ya que se produce un mayor número de OFET con cada fabricación. En Ossila hemos optimizado el proceso de fabricación para producir sustratos de calidad constante. En este sentido, el uso de nuestros sustratos prefabricados en lugar de fabricar el propio puede ayudarlo a recopilar datos más fiables para beneficiar su proyecto de investigación.

Los sustratos prefabricados de alta densidad son ideales para pruebas de movilidad ya que permiten pruebas rápidas y eficientes de grandes volúmenes de OFET. La placa de prueba OFET de alta densidad Ossila ha sido diseñada para este propósito.

En lugar de usar una estación de sonda mecánica para probar OFET, que es un proceso delicado y que consume mucho tiempo, la placa de prueba de alta densidad permite probar múltiples OFET a la vez; simplemente deje caer el sustrato en la ranura de prueba, asegure la tapa push-fit y conecte la placa a través de sus conectores BNC a una serie de equipos de prueba.

British osila chip s403 ofet test chip s411

La placa ha sido diseñada de manera inteligente para reducir el ruido externo, la corriente de fuga y la capacitancia desviada con el fin de proporcionar pruebas fiables y precisas de baja corriente.

High density FET mobility test board La tabla de prueba OFET de alta densidad Ossila, diseñada para pruebas rápidas y fiables de múltiples OFET.

Especificaciones

Fabricamos sustratos de silicio dopados con p con una capa superior de óxido de silicio aislante de 300 nm. El platino se deposita en la parte superior para producir electrodos de puerta que también cubren el borde conductor del sustrato. Por lo tanto, es esencial que el borde del sustrato sea conductor y no esté cubierto con la capa de óxido de silicio. Si no, el óxido de silicio debe rasgarse de los lados de los sustratos antes de que pueda usarse.

Prefabricated OFET: gate electrode detailsEstructura de nuestros sustratos prefabricados de silicio/óxido de silicio.

En Ossila hemos optimizado el proceso de fabricación para garantizar que los bordes sean conductores y el sustrato inmediatamente listo para su uso.

Fabricamos nuestros sustratos de alta densidad con 5 nm de titanio y 100 nm de platino.

Para detalles individuales y dibujos dimensionales de cada tipo de sustrato, véase a continuación.

Sustrato lineal de longitud de canal variable de 1 mm x 2 µm (S403)

Geometría lineal
Arreglo 20 OFET, 5 anchos de canal
Anchura del canal 1 mm
Longitud del canal 2, 4, 6, 8, and 10 µm

Variable platinum OFET schematicDibujo dimensional de sustrato de 1 mm x 2 µm.

Substrato de longitud constante de canal interdigitado de 22,6 mm x 5 µm (S411)

Geometría Interdigitalizado
Arreglo 20 OFET idénticos
Anchura del canal 22.6 mm
Longitud del canal 5 µm

interdigitated 50 micron channel HD FET schematicDibujo dimensional de uno de los dispositivos de 22,6 mm x 5 um sobre el sustrato de alta densidad.