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Dirección
Habitación 208, edificio 5, 88 rongbei road, Distrito de songjiang, Shanghai
Categorías de producto
Shanghai zengjun industrial co., Ltd.
Analizador de parámetros de semiconductores Tonghui th521
NegociableActualización en05/15
- modelo
- Naturaleza del fabricante
- Productores
- Categoría de producto
- Lugar de origen
Descripción general
El analizador de parámetros semiconductores Tonghui th521 es una solución integral para el diseño de circuitos, que puede ayudar a ser una solución integral para el diseño de circuitos, que puede ayudar a los diseñadores de circuitos electrónicos de potencia a elegir dispositivos de potencia adecuados para sus propias aplicaciones, para que sus productos electrónicos de potencia puedan maximizar su valor. Puede evaluar todos los parámetros relevantes del dispositivo en diferentes condiciones de trabajo, incluidos los parámetros IV (voltaje de ruptura y resistencia de conducción), condensadores FETs de tres terminales, carga de puerta y pérdida de potencia. El analizador de parámetros semiconductores de la serie th521 para el diseño de circuitos tiene una función completa de rastreador de curva y otras funciones.
Detalles del producto
Analizador de parámetros de semiconductores Tonghui th521Introducción:
Analizador de parámetros de semiconductores Tonghui th521Es una solución integral para el diseño de circuitos, que puede ayudar a ser una solución integral para el diseño de circuitos, que puede ayudar a los diseñadores de circuitos electrónicos de potencia a elegir dispositivos de potencia adecuados para sus propias aplicaciones, para que sus productos electrónicos de potencia puedan maximizar su valor. Puede evaluar todos los parámetros relevantes del dispositivo en diferentes condiciones de trabajo, incluidos los parámetros IV (voltaje de ruptura y resistencia de conducción), condensadores FETs de tres terminales, carga de puerta y pérdida de potencia. El analizador de parámetros semiconductores de la serie th521 para el diseño de circuitos tiene una función completa de rastreador de curva y otras funciones.
La tensión máxima de salida de la serie th521 puede alcanzar una corriente máxima de salida de ± 3500 V puede alcanzar una corriente máxima de salida de ± 1800a, la resolución mínima de medición de tensión es de 100 nv, la resolución mínima de medición de corriente es de 10 fa, y la tensión máxima de sesgo del coleccionista de medición de condensadores puede alcanzar ± 3500 v, y la frecuencia máxima de medición puede alcanzar los 10 mhz.
Características de rendimiento
TH521Características convencionales
· hasta3.5kV/1800AAmplio alcance de trabajo
desde-50GradosCa+250GradosCPrueba térmica rápida totalmente automática
· Crear automáticamente información técnica sobre dispositivos de Potencia (semiconductores y componentes)
· La función de registro automático evita la pérdida de datos
·AlPreparación asistidaPythonGuión de prueba
TH521IVCaracterísticas del kit
· puede encapsular y dispositivos en obleas de forma totalmente automática y rápidaIVmedición
Ron,BV, fugas,Vth,Vsatesperar(...)
· estrechoIVAncho de pulso (más estrecho 10μs) puede evitar la autofiebre del dispositivo y medir con mayor precisión
Rendimiento real del dispositivo de prueba
· la vista del osciloscopio (vista del dominio del tiempo) puede monitorear el voltaje real/.La forma de onda del pulso de corriente
Se realiza una medición precisa.
*La configuración se puede ampliar con flexibilidad, agregarCVyQg, que sitúa el rango actual desde20AExpansión
a200A,600AO1800A
TH521Características completas del kit
·IVTodas las características del kit
· dispositivos de encapsulamiento de medición en3.5kVCondensadores de entrada, salida y transmisión inversa de Transistor en el tiempo
Ciss,Coss,Crss,Cies,Coes,Cres) y resistencia a la puerta(Rg)
· medir la carga de la puerta del dispositivo encapsulado..Qg) curva
· calcular la pérdida de Potencia (pérdida de conducción, conducción y conmutación)
campo de aplicación
· dispositivos de potencia semiconductores
Diodos, tripolares,MOSFET,IGBT, tirón, circuitos integrados, luz
Pruebas de condensadores parasitarios, como chips electrónicos,C-VAnálisis de las características
· materiales semiconductores
Corte de obleas,C-VAnálisis de las características
· materiales líquidos
Análisis de constantes elásticas, Corte de cristales líquidos
· elementos capacitivos
CondensadoresC-VPruebas y análisis de características, pruebas y análisis de sensores capacitivos
H521Parámetros técnicos del analizador de parámetros semiconductores de la serie:
MCSMU | |||
Rango de voltaje, resolución y precisión | |||
Rango de voltaje |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..% más mV más mV(...) |
*Gran corriente |
200 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
1A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
1A |
20 V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
1A |
40 V |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Rango de corriente, resolución y precisión |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..%+A+A(...) |
*Alta tensión |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
30V |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
30V |
1 mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
30V |
10 mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
30V |
100 mA |
100nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
30V |
1A |
1uA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
30V |
Resolución típica |
6½Posición |
||
*Gran tensión |
±30V |
||
*Pequeña corriente |
10pA |
||
Pulso * gran ciclo de trabajo |
5%(pico superado100 mAvez(...) |
||
Pulso * ancho pequeño |
10μs |
||
Pulso * gran ancho |
100 ms(pico superado100 mAvez(...) |
||
DC * gran corriente |
±100 mA |
||
Pulso * gran pico |
±1A |
||
Pulso * gran base |
±50 mA(pico superado100 mAvez(...) |
||
HCSMU | |||
Rango de voltaje, resolución y precisión | |||
Rango de voltaje |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..% más mV más mV(...) |
*Gran corriente |
200 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05) |
20A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
20A |
20 V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
20A |
40 V |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Rango de corriente, resolución y precisión |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..%+A+A(...) |
*Alta tensión |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
40 V |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
40 V |
1 mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
40 V |
10 mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
40 V |
100 mA |
100nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
40 V |
1A |
1μA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
40 V |
20A |
20μA |
±(0.4 - sí. 2E-3+Vo x 1E-4) |
20 V |
Resolución típica |
6½Posición |
||
*Gran tensión |
±40 V |
||
*Pequeña corriente |
10pA |
||
Pulso * gran ciclo de trabajo |
1%(pico superado1Avez(...) |
||
Pulso * ancho pequeño |
50μs |
||
Pulso * gran ancho |
1ms(pico superado1Avez(...) |
||
DC * gran corriente |
±100 mA |
||
Pulso * gran pico |
±20A |
||
Pulso * gran base |
±100 mA(pico superado1Avez(...) |
||
MPSMU | |||
Rango de voltaje, resolución y precisión | |||
Rango de voltaje |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..% más mV más mV(...) |
*Gran corriente |
100 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
100 mA |
1V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
100 mA |
10V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
100 mA |
100V |
100μV |
±(0.012 + 2.5 + Io x 10) |
20 mA (≥ 140V) 50 mA (≤40V) |
Rango de corriente, resolución y precisión |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..%+A+A(...) |
*Alta tensión |
1nA |
1fA |
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15) |
100V |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) |
100V |
100nA |
100fA |
±(0.05 - sí. 2E-11 - sí. Vo x 1E-13) |
100V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) |
100V |
10μA |
10pA |
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) |
100V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) |
100V |
1 mA |
1nA |
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) |
100V |
10 mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
100V |
100 mA |
100nA |
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) |
20 V |
Resolución típica |
6½Posición |
||
*Gran tensión |
±100V |
||
*Pequeña corriente |
1fA |
||
HVSMU | |||
Rango de voltaje, resolución y precisión | |||
Rango de voltaje |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición±(%+mV) |
*Gran corriente |
200V |
200 uV |
±(0,03 + 40) |
10 mA |
500V |
500uV |
±(0,03 + 100) |
10 mA |
1500V |
1,5 V |
±(0,03 + 300) |
10 mA |
3500V |
3.5mV |
±(0,03 + 600) |
5 mA |
Rango de corriente, resolución y precisión |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..%+A+A(...) |
*Alta tensión |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) |
3500V |
10 mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) |
1750V |
Resolución típica |
6½Posición |
||
*Gran tensión |
±3500V |
||
*Pequeña corriente |
10fA |
||
UHCU | ||
Rango de voltaje, resolución y precisión | ||
Rango de voltaje |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición±(%+mV) |
60 V |
100μV |
±(0.2+10) |
Rango de corriente, resolución y precisión |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..%+A+A(...) |
200A |
200μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
600A |
500μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
1800A |
2mA |
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo) |
Pulso * gran ciclo de trabajo |
0,4%()600ARango);0,1%()1800Arango de medición(...) |
|
Pulso * ancho pequeño |
10μs |
|
Pulso * gran ancho |
1ms()600ARango);500μs()1800Arango de medición(...) |
|
Pulso * gran pico |
200A,600A,1800Arango de medición |
|
MFCMU | ||
|
frecuencia |
Rango de frecuencia |
1kHz ~ 10MHz |
*Resolución de pequeña frecuencia |
1 mHz |
|
Precisión de frecuencia |
±0,05% |
|
|
ACNivel |
Rango de nivel |
0~250mV |
resolución |
0.1mVrms |
|
precisión |
±(10%*Valor de configuración+ 2mV) |
|
|
DCSesgo |
Alcance |
0 ~.±25V |
resolución |
1 mV |
|
Precisión |
1% *Establecer tensión+ 8 mV |
|
Resistencia a la salida |
100Ω |
|
Configuración del lado de la prueba |
Par de cuatro extremos |
|
Tiempo de prueba |
rápido2.5msVelocidad media90 msLento220ms |
|
Condensadores |
Rango de visualización |
0.00001pF~9.99999F |
*Alta precisión |
0,05% |
|
TH521Tabla de selección del analizador de parámetros semiconductores de la serie:
TH521-35-20 |
IV: 3500V / 20A |
TH521-35-20C |
IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-200 |
IV: 3500V/200A |
TH521-35-200C |
IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-600 |
IV: 3500V/600A |
TH521-35-600C |
IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-1800 |
IV: 3500V/1800A |
TH521-35-1800C |
IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg |
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