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panyue@sourcescn.com
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13475860763
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Dirección
Edificio 501, edificio 57, parque de software Optics valley, 396 Emei road, Distrito de huangdao, ciudad de qingdao, Provincia de Shandong
Categorías de producto
Qingdao Senquan Optoelectronics co., Ltd.
Detector fotoeléctrico de arsénico thorlabs det08cfc / M - InGaAs
NegociableActualización en12/13
- modelo
- Naturaleza del fabricante
- Productores
- Categoría de producto
- Lugar de origen
Descripción general
Los cuatro modelos de thorlabs det08cfc / M - Fotodetector de arsénico de indio y Galio $n cubren un rango de longitud de onda de 400 - 1700 nm $n ancho de banda de 1 a 5 GHz $n tiempo de subida de 50 ps a 1 ns $n conectado a un solo modo (sm) o fibra óptica multimodo (mm) $nfc / PC conector de entrada de fibra óptica $nsma
Detalles del producto
Detector fotoeléctrico de arsénico thorlabs det08cfc / M - InGaAsCaracterísticas:
Cuatro modelos cubren un rango de longitud de onda de 400 - 1700 nm
Ancho de banda de 1 a 5 GHz
El tiempo de subida es de 50 ps a 1 ns
Conectado a fibra monomodo (sm) o multimodo (mm)
Conector de entrada de fibra óptica FC / PC
Conector de salida SMa
Detector fotoeléctrico de arsénico thorlabs det08cfc / M - InGaAsOfrece una serie de detectores de acoplamiento de fibra óptica, alta velocidad y alto ancho de banda, que pueden conectarse a fibra monomodo FC / PC o multimodo. El rango de sensibilidad general de estos detectores es visible desde el infrarrojo cercano (400 - 1700 nm); Vea el rango espectral exacto de cada detector en la tabla 1.2. Todos los detectores de esta página tienen un ancho de banda de señal de GHz y son tan fáciles de usar como otras de nuestras Series det. Estos detectores están diseñados para aplicaciones de prueba o medición, incluyendo comunicaciones de datos, microondas analógicas y fotónica general de alta velocidad. Para la detección del espacio libre, thorlabs proporciona detectores de espacio libre de alta velocidad. También ofrecemos una serie de fotodiodos de sesgo incorporados, que son tan fáciles de usar como los fotodetectores acoplados a fibra óptica, pero funcionan más lentamente. Nuestros fotodetectores de sesgo son compatibles con amplificadores de fotodiodos de escritorio y amplificadores de resistencia cruzada pmt.
Estos detectores de acoplamiento de fibra óptica están sesgados en sentido inverso y tienen baterías sesgadas en el interior, lo que produce una respuesta lineal a la luz incidente. Para mantener un alto ancho de banda de señal, la señal se emite a través del conector sma. Thorlabs ofrece una gama completa de conectores y cables electrónicos, incluidos cables SMA y conectores SMA a bnc, para facilitar el monitoreo de señales en Osciloscopios u otros dispositivos electrónicos de medición.
Nuestro detector de acoplamiento de fibra óptica basado en silicio se utiliza en un rango de longitud de onda de 400 a 1100 nm, con un ancho de banda opcional de 1 GHz (¿ det02afc) o 2 GHz (¿ det025afc). Para aplicaciones ampliadas al infrarrojo cercano, se pueden utilizar nuestros detectores de acoplamiento de fibra óptica basados en ingaas, con un rango de detección de 800 a 1700 nm, con un ancho de banda opcional de 1,2 GHz (¿ det01cfc) o 5 GHz (¿ det08cfc). Para el monitoreo de señales de alta velocidad, thorlabs recomienda el uso de una resistencia de carga de 50 omega. Para aplicaciones de menor ancho de banda, nuestro conector de terminal ajustable o conector de terminal fijo puede ajustar rápidamente el voltaje de medición.
| Artículo # | DET02AFC | DET025AFC | DET01CFC | DET08CFC |
|---|---|---|---|---|
| Rango de longitud de onda | 400 - 1100 nm | 400 - 1100 nm | 800 - 1700 nm | 800 - 1700 nm |
| Material | Si | Si | InGaAs | InGaAs |
| Ancho de banda (-3 dB)a,b,c | 1 GHz | de 2 GHz | 1,2 GHz | 5 GHz (máximo) |
| Entrada de fibra | FC / PC | FC / PC | FC/PCd | FC / PC |
| Salida de señal | SMA | SMA | SMA | SMA |
| Carga mínima de resistencia | 50 Ω | 50 Ω | 50 Ω | 50 Ω |
| Potencia máxima | 18 mW | 18 mW | 18 mW | 100 mW |
| Potencia de saturación (CW) | - | - | 5,5 mW (1550 nm)b | - |
| Voltaje de salida | De 0 a 3,3 V (50 Ω) De 0 a 10 V (Hi-Z) | 2 V (Máx)e | De 0 a 1 V (50 Ω)f De 0 a 10 V (Hi-Z) | 2 V (Máx)e |
| Tiempo de aumento (tr)a,b,c | 1 ns a 730 nm (máximo) | 150 ps @ 653 nm, 20/80% (Tipo) | < 1 nsg a 1310 nm | 70 ps @ 952 nm, 20/80% (Tipo) |
| Tiempo de otoño (tf)a,b,c | 1 ns a 730 nm (máximo) | 150 ps @ 653 nm, 80/20% (Tipo) | < 1 nsg a 1310 nm | 110 ps @ 952 nm, 80/20% (Tipo) |
| Tensión de sesgo | 12 V | |||
| corriente oscura | de 126 pAh | 35 pAa, h | 0,235 nAa, h | 1,5 nAa, h |
| NEP (máximo) | 9,5 x 10-15 W/√Hz (@ 730 nm) | 9,29 x 10-15 W/√Hz (@ 730 nm) | 4,5 x 10-15 W/√Hz (@ 1550 nm) | 2 x 10-15 W/√Hz (@ 1550 nm) |
| Capacidad de unión | 1,73 pF (máximo) | 1,73 pF (máximo) | 2,4 pF (típico) | 0,3 pF |
| elemento fotodiodo | FDS02 | FDS02 | FGA01FC | - |
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