El módulo redundante Phoenix 2320173 tiene función de monitoreo

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Las impurezas en los semiconductores tienen un gran impacto en la resistencia eléctrica. Cuando se mezclan trazas de impurezas en semiconductores, el campo potencial cíclico cerca de los átomos de impurezas se interfiere y forma un Estado de Unión adicional, produciendo un nivel de energía de impurezas añadidas en la banda PROHIBIDA. Por ejemplo, los elementos tetravalentes germanio o silicioCristalCuando se mezclan átomos de impurezas como fósforo, arsénico y antimonio, los átomos de impurezas actúan como una molécula de la red cristalina, y cuatro de sus cinco electrones de Valencia forman una unión covalente con los átomos circundantes de germanio (o silicio), y el electrón restante está atado cerca de los átomos de impurezas para producir un nivel de energía similar al hidrógeno. El nivel de energía de impurezas se encuentra por encima de la Banda prohibida cerca del Fondo de la banda Guía. Los electrones en el nivel de energía de las impurezas se estimulan fácilmente a la banda guía para convertirse en portadores de electrones. Esta impurezas que pueden proporcionar transportistas electrónicos se llama donante, y el nivel de energía correspondiente se llama donante. La energía necesaria para que los electrones salten a la banda de conducción en el nivel de energía del donante es mucho menor que la necesaria para estimular la banda ad valorem a la banda de conducción (figura 2). Cuando se mezclan trazas de átomos de impurezas como boron, aluminio y Galio en cristales de germanio o silicio, los átomos de impurezas carecen de un electrón cuando forman una unión covalente con los cuatro átomos de germanio (o silicio) circundantes, por lo que existe una vacante, y el estado energético correspondiente a esta vacante es el nivel de energía de impurezas, generalmente por debajo de la Banda prohibida cerca de la banda de valencia. Los electrones en la banda de Valencia se estimulan fácilmente al nivel de energía de la impurezas para llenar esta vacante, haciendo que los átomos de impurezas se conviertan en iones negativos. En la banda de Valencia se forma un portador de agujero debido a la falta de un electrón. Esta impurezas que pueden proporcionar agujeros se llama impurezas receptoras. Cuando hay impurezas receptoras, la energía necesaria para formar un portador de agujero en la banda de Valencia es mucho menor que en el caso de semiconductores intrínsecos. Después del Dopaje del semiconductor, su resistencia eléctrica disminuyó considerablemente. Tanto la excitación térmica como la excitación óptica producida por el calentamiento o la luz pueden aumentar el número de transportistas libres y causar una disminución de la resistencia eléctrica, y los semiconductoresTermistoryFotorresistenciaSe basa en este principio.

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