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Nanoláser escritura directa

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Descripción general
La escritura directa láser nanométrica es un sistema de escritura directa láser de gran área, alta precisión, grabable y ultradifractivo, que se puede utilizar en el mecanizado de micro y Nano de gran área del tamaño de la obleas, adecuado para la fabricación de diversas estructuras y dispositivos micro y nano, producción de pequeños lotes de dispositivos micro y nano, etc. La serie incluye diferentes modelos como L50 y l100, con características potentes, mantenimiento simple, alta resolución de procesamiento, soporte para múltiples modos de grabado y soporte para múltiples materiales receptores. Al principio del diseño, el sistema conserva suficiente espacio físico y recursos de hardware para satisfacer las necesidades de actualización de funciones posteriores, haciendo que el producto tenga un ciclo de vida más largo.
Detalles del producto

Nanoláser escritura directaBueno en investigación y desarrollo de tamaño wafer y producción en pequeños lotes

Nanoláser escritura directaEs un sistema de escritura directa láser de gran área, alta precisión, grabable y ultradifractivo, que se puede utilizar para el mecanizado de micro y Nano de gran área con tamaño de obleas, adecuado para la fabricación de diversas estructuras y dispositivos de micro y nano, producción de pequeños lotes de micro y Nano dispositivos, etc. La serie incluye diferentes modelos como L50 y l100, con características potentes, mantenimiento simple, alta resolución de procesamiento, soporte para múltiples modos de grabado y soporte para múltiples materiales receptores. Además, al principio del diseño, el sistema conserva suficiente espacio físico y recursos de hardware para satisfacer las necesidades de actualización de funciones posteriores, haciendo que el producto tenga un ciclo de vida más largo.

Suzhou huaweina Nanotechnology co., Ltd. es una empresa innovadora de alta tecnología registrada en 2011, que se dedica principalmente a la investigación y desarrollo e industrialización de nuevas tecnologías de nanolitografía y nanolitografía sin máscara.