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No. 5500 Yuanjiang road, Distrito de minhang, Shanghai
Shanghai Maikewei Semiconductor Technology Co., Ltd
No. 5500 Yuanjiang road, Distrito de minhang, Shanghai
1 Resumen del producto:
Sistema de depósito químico de vapor de baja presión..LPCVD) es una técnica para que los compuestos gaseosos reaccionen en la superficie del sustrato y se depositen para formar una película sólida estable mediante calentamiento a baja presión. El sistema se utiliza en la fabricación de semiconductores, electrónica de potencia, Optoelectrónica yMEMSY otros campos son ampliamente utilizados.LPCVDAl controlar con precisión parámetros como la temperatura, la presión y el flujo de gas, el sistema puede formar una película delgada con buena uniformidad en la superficie del sustrato para satisfacer diversas necesidades tecnológicas.
2 Uso del equipo:
LPCVDLos principales usos del sistema incluyen:
Depósito de película delgada: utilizado para depositar una variedad de materiales de película delgada, comoPoli-Si(polisilicio),Si3N4(nitruro de silicio),SiO2(sílice), vidrio de fósforo y silicio, vidrio de borosilicato y silicio amorfo y silicio metálico refractario, etc. Estas películas se utilizan en dispositivos semiconductores, dispositivos electrónicos de potencia, dispositivos optoelectrónicos yMEMSLa estructura juega un papel clave.
Fabricación de semiconductores: en el proceso de fabricación de circuitos integrados semiconductores,LPCVDEl sistema se utiliza para formar estructuras clave como óxidos de puerta, capas pasivadas superficiales, capas amortiguadoras de esfuerzo de nitruro, capas de óxido sacrificadas y capas de óxido de bloqueo.
Aplicaciones optoelectrónicas: en el campo de la optoelectrónica,LPCVDEl sistema se utiliza para preparar películas ópticas como guías de onda ópticas, capas de índice de refracción variable y capas antirreflectantes para mejorar el rendimiento de los dispositivos.
3 Características del equipo
LPCVDEl sistema tiene las siguientes características:
Ambiente de baja presión: la deposición a baja presión ayuda a reducir la colisión y dispersión de moléculas de gas y mejorar la uniformidad y la calidad de la película.
Control de alta precisión: el sistema utiliza tecnología avanzada de control de temperatura, presión y flujo de gas, que puede controlar con precisión los parámetros durante el proceso de deposición y garantizar la precisión y consistencia de la película.
Versatilidad: puede depositar una variedad de materiales de película delgada para satisfacer diferentes necesidades de proceso y tiene una amplia gama de aplicaciones.
Eficiencia: debido a la baja presión de trabajo, el recorrido libre promedio y el coeficiente de difusión de las moléculas de gas son grandes, lo que puede aumentar la productividad mediante el uso de embalajes densos.
4 Parámetros técnicos y características:
1. Cumplir con los requisitos de alta temperatura y enfriamiento rápido de la investigación de Grafeno y nanotubos de carbono
2. diámetro200Cámara de cuarzo milimétrica
3. El diseño del tubo de cuarzo interior facilita el desmontaje y la limpieza
4. El tamaño del sustrato puede alcanzar el diámetro150milímetro
5. Horno de resistencia de tres zonas,150Zona de temperatura uniforme en milímetros
6. La temperatura puede alcanzar1000°C
7. Uso de tipo aceleradorIVALa presión aguas abajo de la Válvula mariposa se controla en50 mTorrA500 mTorrEntre
8.8Pies cúbicos/.DivididoEbara ESA25-DBomba de vacío seca-Dos vacío seco