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Correo electrónico
Wayne.Zhang@Sikcn.com
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Teléfono
13917975482
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Dirección
Piso 7, edificio 7, Puerto microelectrónico de zhangjiang, 690 bibo Road
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¿¿ qué?Ayuda
¿¿ qué?Xiangkong Science Instrument (shanghai) co., Ltd.
Wayne.Zhang@Sikcn.com
13917975482
Piso 7, edificio 7, Puerto microelectrónico de zhangjiang, 690 bibo Road
Dedicado al alto rendimiento3DAnálisis y preparación de muestras a medidaFIB-SEM
Zeiss crossbeam combina las potentes propiedades de imagen y análisis del tubo de microscopía electrónica de barrido de emisiones de campo (fe - sem) con la excelente capacidad de procesamiento de la nueva generación de haces de iones enfocados (fib). Ya sea cortando, imágenes o haciendo análisis 3d, la serie crossbeam puede mejorar enormemente su experiencia de aplicación. Con el sistema de óptica electrónica gemini, puede obtener información real de la muestra de una imagen del microscopio electrónico de barrido (sem). El cañón FIB ion - scultor introduce un nuevo método de procesamiento fib, que puede reducir el daño de la muestra y mejorar la calidad de la muestra, acelerando así el proceso experimental.
Ya sea para instituciones de investigación científica o laboratorios industriales, laboratorios de un solo usuario o plataformas experimentales de varios usuarios, si desea obtener resultados experimentales de alta calidad e influyentes, el diseño de la plataforma modular de Zeiss crossbeam le permite actualizar el sistema de instrumentos en cualquier momento de acuerdo con sus propias necesidades.
Parámetros técnicos:
Zeiss crossbeam 350 |
Zeiss crossbeam 550 |
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Microscopio electrónico de barrido (sem) |
Tubo Gemini I |
Tubo Gemini II |
Opción de presión variable |
Opcional Tandem decel |
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Haz de electrones: 5 Pa – 100 na |
Haz de electrones: 10 pa – 100 na |
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Haz de iones enfocado |
Resolución: 3 nm @ 30 kV (método estadístico) |
Resolución: 3 nm @ 30 kV (método estadístico) |
Resolución: 120 nm @ 1 Kv & 10 pa (opcional) |
Resolución: 120 nm @ 1 Kv & 10 pa |
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Detector |
Inlens se, inlens esb, vpse (detector de electrones secundarios de presión variable), SESI (detector de iones secundarios de electrones secundarios), estem (detector de electrones de transmisión de escaneo), absd (detector de dispersión de espalda) |
Inlens se, inlens esb, ETD (detector everhard - thornley), SESI (detector de iones secundarios de electrones), estem (detector de electrones de transmisión de escaneo), absd (detector de dispersión trasera) y CLS (detector de fluorescencia catódica) |
Especificaciones y puertos del almacén de muestras |
El almacén de muestras estándar está equipado con 18 interfaces configurables |
El almacén de muestras estándar está equipado con 18 interfaces configurables / el almacén de muestras grande está equipado con 22 interfaces configurables |
Plataforma de carga |
X / Y = 100 mm |
X/Y = 100 mm / X/Y = 153 mm |
Z = 50 mm, Z' = 13 mm |
Z = 50 mm, Z' = 13 mm / Z = 50 mm, Z' = 20 mm |
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T = - 4 ° a 70 °, R = 360 ° |
T = - 4 ° a 70 °, R = 360 ° / t = - 15 ° a 70 °, R = 360 ° |
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Control de carga eléctrica |
Pistola de haz de electrones |
Pistola de haz de electrones |
Neutralizador de carga local |
Neutralizador de carga local |
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Presión variable |
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Gas |
Sistema de inyección de gas de canal único: pt, c, siox, w, H2O |
Sistema de inyección de gas de canal único: pt, c, siox, w, H2O |
Sistemas de inyección de gas multicanal: pt, c, w, au, h2o, siox, xef2 |
Sistemas de inyección de gas multicanal: pt, c, w, au, h2o, siox, xef2 |
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Resolución de almacenamiento |
32 k x 24 K (con el módulo de tomografía computarizada 3D opcional Atlas 5, hasta 50 k x 40 k) |
32 k x 24 K (con el módulo de tomografía computarizada 3D opcional Atlas 5, hasta 50 k x 40 k) |
Anexo de análisis opcional |
EDS、EBSD、WDS、SIMS, Otras opciones están disponibles si es necesario. |
EDS、EBSD、WDS、SIMS, Otras opciones están disponibles si es necesario. |
Ventaja |
Debido al uso de un modo de presión variable y una amplia gama de experimentos in situ, la compatibilidad de la muestra se puede ampliar considerablemente. |
El análisis y la imagen se completan con alto rendimiento, y la alta resolución se puede obtener en diversas condiciones. |
