Máquina de grabado de silicio profundo

NegociableActualización en05/07

modelo

Naturaleza del fabricante: Productores

Categoría de producto

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Descripción general

La máquina de grabado de silicio profundo HSE p300 se utiliza principalmente para el grabado de silicio de 12 pulgadas. El diseño estructural del clúster puede reducir la ocupación de tierras y aumentar la capacidad de producción. El sistema se compone principalmente de módulo de transmisión, módulo de proceso, componentes de zona gris, Gabinete de energía, etc. Se puede realizar el proceso automatizado de carga y descarga en tierra y automático. El HSE M200 se utiliza principalmente en el proceso de grabado en seco de silicio profundo de 4 / 6 / 8 pulgadas. Se puede configurar un sistema de Transmisión manual y automático. El producto está equipado con una fuente de plasma doble tridimensional de alta densidad, entrada de aire en el borde central, cambio rápido de gas y un sistema de electrodos bajo pulso de baja frecuencia, que puede lograr una alta velocidad, una alta relación de profundidad y ancho y una rugosidad mínima de la pared lateral.

Detalles del producto

1.Resumen del producto:

El HSE M200 se utiliza principalmente en el proceso de grabado en seco de silicio profundo de 4 / 6 / 8 pulgadas. Se puede configurar un sistema de Transmisión manual y automático. El producto está equipado con una fuente de plasma doble tridimensional de alta densidad, entrada de aire en el borde central, cambio rápido de gas y un sistema de electrodos inferiores pulsados de baja frecuencia, que puede lograr alta velocidad, alta relación profundidad - ancho, alta uniformidad y rugosidad mínima de la pared lateral. El HSE p300 se utiliza principalmente para el grabado de silicio de 12 pulgadas. El diseño estructural del clúster puede reducir la ocupación de tierras y aumentar la capacidad de producción. El sistema se compone principalmente de módulo de transmisión, módulo de proceso, componentes de zona gris, Gabinete de energía, etc. Se puede realizar el proceso automatizado de carga y descarga en tierra y automático.

2.equipoaplicación:

HSE M200

Tamaño de la obleas:

8Pulgadas y por debajo

Materiales aplicables:

Silicio,SOI,SOG

Proceso aplicable:

Grabado de silicio profundo

Áreas de aplicación:

Sistemas microelectrónicos, campos de investigación científica

HSE P300

Tamaño de la obleas:

8 / 12Compatibilidad de pulgadas

Materiales aplicables:

Silicio, óxido de silicio, nitruro de silicio

Proceso aplicable:

Grabado de ranura profunda, grabado de agujero profundo, grabado de portador de silicio encapsulado por ventilador, grabado de cobre expuesto, etc.

Áreas de aplicación:

Encapsulamiento avanzado

3. características del equipo

HSE M200

Fuente de plasma doble y admisión de aire de doble zona garantizan alta uniformidad de grabado y alta velocidad de grabado

Fuerte compatibilidad, variedad de procesos, amplia gama de campos de aplicación y fuerte fiabilidad del sistema

Configuración flexible del sistema, adecuada para diferentes aplicaciones de I + d, líneas piloto y líneas de producción a gran escala

Bajo costo de propiedad y costos operativos

HSE P300

El uso de fuentes de plasma tridimensionales de alta densidad aumenta considerablemente la tasa de grabado

Fuente de plasma doble y admisión de aire de doble zona para garantizar una alta uniformidad

Control de software totalmente automatizado, alta capacidad

Bajo costo de propiedad y costos operativos

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