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1911, unidad 1, piso 19, edificio 8, patio 1, beiqing road, Distrito de changping, Beijing
Beijing Rongxing Guangheng Technology Co., Ltd
1911, unidad 1, piso 19, edificio 8, patio 1, beiqing road, Distrito de changping, Beijing
¡Ven! Lentes infrarrojas lcpln50xir y 100xir
¡Ven! Lentes infrarrojas lcpln50xir y 100xir
Objetivo infrarrojo del Olimpo
Objetivo infrarrojo 5X / 10x / 20x / 50xir
Para la industria
Metalurgia, semiconductores, aviación y otros campos
El Olimpo lcpln50xir y lcpln100xir son objetivos de microscopio diseñados especialmente para la observación espectral del infrarrojo cercano (nir), que se utilizan principalmente en semiconductores, fabricación electrónica y metalurgia industrial para pruebas no destructivas de estructuras internas de obleas de silicio, chips IC y otros materiales. - 34
¿ sí?I. tecnología básica y características de diseño¿ sí?
00001.Capacidad de observación del infrarrojo cercano ambos objetivos están optimizados para la luz infrarroja cercana a la longitud de onda de 700 - 1300 nm, tienen una alta transmisibilidad y pueden penetrar materiales como el silicio para lograr una observación no destructiva de la estructura interna de la obleas, líneas de unión o defectos. - 38
00002.Anillo de corrección ajustable esta es la característica central de la serie lcpln - ir. La lente está equipada con un anillo de corrección que permite corregir la diferencia esférica de materiales de cobertura de diferentes grosores, como tapas de vidrio o capas de silicio, manteniendo así una alta resolución y un alto contraste al observar diferentes muestras. - 34
·Rango de corrección del espesor del vidrio: 0 - 1.2mm(50X); 0 - 0.7mm(100X)。 34
·Rango de corrección del espesor del silicio: 0 - 1.2mm(50X); 0 - 1.0mm(100X)。 34
00003.Sistema óptico infinitamente lejano diseño óptico de corrección infinitamente lejana, compatible con el camino óptico estándar del microscopio infinitamente lejano. - 12
00004.Comparación de los principales parámetros ópticos¿ sí?
parámetro |
LCPLN50XIR |
LCPLN100XIR |
¿ sí?Ampliación¿ sí? |
50X |
100X |
¿ sí?Apertura numérica (n.a.)¿ sí? |
0.65 |
0.85 |
¿ sí?Distancia de trabajo (w.d.)¿ sí? |
4,5 mm |
1,2 mm (vidrio) / 1,48 - 1,33 mm (silicio) 13 |
¿ sí?Número de campos de visión (f.n.)¿ sí? |
22 mm |
22 mm |
¿ sí?Distancia de enfoque¿ sí? |
45 mm |
45 mm |
¿ sí?Interfaz roscada¿ sí? |
W20.32×0.706 (RMS) |
W20.32×0.706 (RMS) |
¿ sí?Medio de inmersión¿ sí? |
Aire / secado |
Aire / secado |
¿ sí?II. ventajas de la aplicación¿ sí?
00001.Mejorar la precisión de la detección Apertura numérica alta combinada con la función de corrección de aberrancia, puede proporcionar alta resolución y contraste de imagen en la banda de infrarrojo cercano, revelando claramente los detalles microscópicos del Interior del material. 89
00002.Mejorar la adaptabilidad el diseño del anillo de corrección permite que la misma lente se adapte a obleas de diferentes procesos o muestras con diferentes capas de encapsulamiento de espesor, y puede obtener imágenes claras sin reemplazar la lente, lo que mejora la eficiencia y flexibilidad de la detección. - 38
00003.Modo de imagen de soporte ambos objetivos admiten la observación de reflexión y transmisión de campo brillante, así como la observación de luz polarizada. - 210
00004.Compatibilidad del sistema como parte del sistema óptico uis2 del olimpo, se puede utilizar con el cuerpo principal y los accesorios del microscopio correspondientes para construir una plataforma profesional de detección de infrarrojo cercano. - 4
¿ sí?III. escenarios de aplicación típicos¿ sí?
·Análisis de fallos de semiconductores detección de grietas, agujeros, estratificación y defectos de conexión de alambre metálico en el interior del chip de circuito integrado. - 8
·Detección de obleas observar las áreas dopados, los defectos y la estructura cristalina dentro de la obleas de silicio. - 39
·Investigación Científica de materiales para todo tipo de campos de investigación científica y pruebas industriales que requieren penetrar materiales opacos para imágenes internas. - 12
