Microscopio de examen de obleasAmpliar la imagen de la superficie de la obleas a través de un sistema de lentes ópticas y proyectarla sobre una lente ocular o un sensor de imagen para su observación y análisis. Algunos microscopios también utilizan diferentes métodos de iluminación y técnicas de contraste, como campos brillantes, campos oscuros, diferencias de interferencia diferencial (cid), etc., para mejorar el contraste de la imagen y hacer que los defectos y las características estructurales sean más visibles.
Microscopio de examen de obleasLas aplicaciones son las siguientes:
1. detección de defectos en la superficie de la obleas
Detección de residuos: a través de la amplificación de 50 - 1000 veces, combinada con la iluminación óptica mix, se localizan con precisión partículas nanométricas a polvo de micras para evitar fallos en las características eléctricas.
Análisis de daños mecánicos: detección de arañazos en forma de arco causados por molienda química - mecánica (cmp) y evaluación del impacto del daño en la conectividad del circuito.
Detección de defectos de cristal: utilizar la tecnología TIC para identificar las líneas de deslizamiento y los errores de apilamiento, y mejorar la tasa de rendimiento.
2. control de calidad del proceso de litografía
Detección de precisión de alineación de patrones: verifique si el patrón del circuito formado por la exposición y el desarrollo del fotorresistente cumple con los requisitos de diseño y evita la desviación del ancho de línea.
Análisis de uniformidad del ancho de línea: a través de equipos CD - SEM (imagen de haz de electrones) o OCD (tamaño clave óptico), se miden los cambios en el ancho de línea para garantizar la estabilidad del proceso.
3. pruebas de encapsulamiento y análisis de fallos
Inspección de la calidad de los puntos de soldadura: detectar defectos como la forma, el tamaño y la soldadura virtual y los cortocircuitos de los puntos de soldadura para garantizar la fiabilidad del embalaje.
Alineación entre capas y medición del espesor: verificar la precisión de superposición de capas metálicas / aislantes multicapa, medir los cambios de espesor entre capas y cumplir con las especificaciones de diseño.
Análisis de microscopía electrónica de transmisión (tem): proporciona imágenes de sección transversal resueltas a nivel atómico, combinadas con el análisis de espectro de energía para analizar la distribución de elementos y localizar la causa raíz del fallo.
4. apoyo al proceso
Detección de semiconductores compuestos: como la imagen de defectos en el sustrato de carburo de silicio (sic), apoya el canal de detección de fotoluminiscencia y presenta claramente defectos de celosía.
Observación de la estructura 3d: a través de muestras de inclinación y rotación multiángulo, se detecta la precisión de alineación y la calidad de la interfaz de la estructura apilada tridimensional.