Láser Semiconductor

NegociableActualización en02/10

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Descripción general

El láser Semiconductor adopta un láser dfb con estructura de pozo cuántico, un enfriador de semiconductores incorporado, y el proceso de encapsulamiento estándar realiza un encapsulamiento de cola de mariposa, con estructura compacta y pequeño tamaño; Los láseres se han ganado la confianza de los clientes con potencia estable, longitud de onda estable y alta relación calidad - precio, y son ampliamente utilizados en el campo de las comunicaciones de fibra óptica.

Detalles del producto

Los láseres semiconductores adoptan una estructura de pozo cuánticoLáser dfb, enfriador de semiconductores incorporado, proceso de encapsulamiento estándar para lograr el encapsulamiento de cola de mariposa (butterfly), estructura compacta, pequeño tamaño; Los láseres se han ganado la confianza de los clientes con potencia estable, longitud de onda estable y alta relación de crédito y precio, y se han utilizado ampliamente en el campo de las comunicaciones de fibra óptica. Bajo el control de temperatura de alta precisión de los enfriadores de semiconductores, las ventajas de alta potencia estable y alta longitud de onda estable de los láseres hacen que los láseres sean ampliamente utilizados en el campo de los sensores de fibra óptica.

　　Láser SemiconductorCondiciones de trabajo límite nominal:

parámetro	Símbolo	Valor del parámetro	unidad
Corriente positiva del diodos láser	Si(LD)	100	mA
Tensión inversa del diodos láser	Vr(LD)	2	V
Corriente de trabajo del detector de retroiluminación	Si (PD)	2	mA
Voltaje inverso del detector de retroiluminación	Vr (PD)	20	V
Corriente de trabajo del refrigerador	ITEC	2.4	Una
Tensión de funcionamiento del refrigerador	VTEC	2.9	V
Temperatura de trabajo	Topr	- 20 ~ + 70	℃
Temperatura de almacenamiento	Tstg	- 40 ~ + 85	℃
Temperatura / tiempo de soldadura del alambre	Tsld	260 / 10	℃/s

Parámetros técnicos:

parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Mínimo	Tipo	Máx	unidad
Potencia de salida de luz	PO	CW	3		10	mW
Corriente umbral	Ith	CW	-	12	18	mA
Corriente de trabajo	Iop	CW, 5mW	-	-	50	mA
Tensión de funcionamiento	Vop	CW y 5mW	-	1.5	2.0	V
Eficiencia de pendiente	η	CW y 5mW	0.05	0.1	-	mW / mA
Longitud de onda máxima	λp	CW, 5mW@25 ℃	λc-1	λc	λc+1	nm
Estabilidad de la longitud de onda	λs	CW, 5mW@25 ℃	-0.1nm		+0.1	de dB
Relación de inhibición del modo lateral	Smsr	CW, 5mW	35	-	-	nm
Ancho espectral (20db)	[desconocido] 965151 lambda	CW, 5mW	-	0.2		nm / ℃
Coeficiente de deriva de la longitud de onda con el cambio de temperatura	Ocho 965.151; lambda / t	Estabilizar la corriente de trabajo		0.1		nm / ℃
Coeficiente de deriva de la longitud de onda con la corriente eléctrica	El λ/I	Estabilizar la temperatura de trabajo		0.01		nm/mA
Termistor	Rth	Ttherm = 25 ℃	9.5	10	10.5	KΩ

Tabla de referencia de absorción de gas:

Composición del gas	Longitud de onda de absorción
O2	761nm y 764nm (VCSEL)
HF	1268.7nm, 1273nm y 1278nm
H2O	1368.59nm y 1392nm
NH3	1512nm
C2H2	1532,68 nm
CO	1567 nm
H2S	1578 nm
CO2	1580nm y 2.0um
C2H4	1620nm y 1627nm
CH4	1647nm, 1650.9nm, 1653.7nm y 1660nm
HCl	1742nm

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