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Dirección
Habitación 208, edificio 5, 88 rongbei road, Distrito de songjiang, Shanghai
Categorías de producto
Shanghai zengjun industrial co., Ltd.
Analizador de parámetros de semiconductores th521
NegociableActualización en05/25
- modelo
- Naturaleza del fabricante
- Productores
- Categoría de producto
- Lugar de origen
Descripción general
El analizador de parámetros semiconductores th521 es una solución integral para el diseño de circuitos, que puede ayudar a los diseñadores de circuitos electrónicos de potencia a elegir dispositivos de potencia adecuados para sus propias aplicaciones, para que sus productos electrónicos de potencia puedan jugar un gran valor. Puede evaluar todos los parámetros relevantes del dispositivo en diferentes condiciones de trabajo, incluidos los parámetros IV (voltaje de ruptura y resistencia de conducción), condensadores FETs de tres terminales, carga de puerta y pérdida de potencia. El analizador de parámetros semiconductores de la serie th521 para el diseño de circuitos tiene una función completa de rastreador de curva y otras funciones.
Detalles del producto
Analizador de parámetros de semiconductores th521Introducción:
Analizador de parámetros de semiconductoresTH521-35-1800CEs una solución integral para el diseño de circuitos que puede ayudar a los diseñadores de circuitos electrónicos de potencia a elegir dispositivos de potencia adecuados para sus propias aplicaciones, para que sus productos electrónicos de potencia puedan jugar.*Gran valor. Puede evaluar todos los parámetros relevantes del dispositivo en diferentes condiciones de trabajo, incluyendoIVParámetros (voltaje de ruptura y resistencia a la conducción), tres terminalesFETPérdida de condensadores, carga de puerta y potencia. Para el diseño de circuitosTH521El analizador de parámetros semiconductores de la serie tiene una función completa de rastreador de curvas y otras funciones.
Analizador de parámetros de semiconductoresTH521-35-1800CDetalles
TH521Introducción a la serie de Analizadores de parámetros semiconductores:
El analizador de parámetros semiconductores de la serie th521 es una solución integral para el diseño de circuitos, que puede ayudar a los diseñadores de circuitos electrónicos de potencia a elegir dispositivos de potencia adecuados para sus propias aplicaciones, para que sus productos electrónicos de potencia puedan jugar.*Gran valor. Puede evaluar todos los parámetros relevantes del dispositivo en diferentes condiciones de trabajo, incluyendoIVParámetros (voltaje de ruptura y resistencia a la conducción), tres terminalesFETPérdida de condensadores, carga de puerta y potencia. Para el diseño de circuitosTH521El analizador de parámetros semiconductores de la serie tiene una función completa de rastreador de curvas y otras funciones.
TH521Características del analizador de parámetros semiconductores de la serie:
TH521Características convencionales
· Gundam3.5kV/1800AAmplio alcance de trabajo
· De -50 GradosCa +250 GradosCPrueba térmica rápida totalmente automática
· Crear automáticamente datos técnicos de dispositivos de Potencia (semiconductores y componentes)
· La función de registro automático evita la pérdida de datos
· IAPreparación asistidaPythonGuión de prueba
TH521 IVCaracterísticas del kit
· Puede encapsular y dispositivos en obleas de forma totalmente automática y rápidaIVmedición ()Ron,BV, fugas,Vth,VsatEtc.)
· estrechoIVAncho de pulso*estrecho 10 μs) puede evitar la autofiebre del dispositivo y es más preciso probar la pieza real. Rendimiento internacional
· La vista del osciloscopio (vista del dominio del tiempo) puede monitorear el voltaje real/.Forma de onda del pulso de corriente para la precisión Medición exacta
· La configuración se puede ampliar con flexibilidad, agregarCVyQg, que sitúa el rango actual desde20 AExtensión a200A,600 Ao1800 A
TH521Características completas del kit
· IVTodas las características del kit
· Dispositivos de encapsulamiento de medición en3.5 kVCondensadores de entrada, salida y transmisión inversa de Transistor en el tiempo
()Ciss,Coss,Crss,Cies,Coes,Cres) y resistencia a la puerta..Rg(...)
· Medir la carga de la puerta del dispositivo encapsulado..Qg) curva
· Calcular la pérdida de Potencia (pérdida de conducción, conducción y conmutación)
TH521Parámetros técnicos del analizador de parámetros semiconductores de la serie:
MCSMU | |||
Rango de voltaje, resolución y precisión | |||
Rango de voltaje |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..% más mV más mV(...) |
*Gran corriente |
200 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
1A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
1A |
20 V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
1A |
40 V |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Rango de corriente, resolución y precisión |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..%+A+A(...) |
*Alta tensión |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
30V |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
30V |
1 mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
30V |
10 mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
30V |
100 mA |
100nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
30V |
1A |
1uA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
30V |
Resolución típica |
6½Posición |
||
*Gran tensión |
±30V |
||
*Pequeña corriente |
10pA |
||
Pulso*Gran ciclo de trabajo |
5%(pico superado100 mAHora(...) |
||
Pulso*Ancho pequeño |
10μs |
||
Pulso*Gran ancho |
100 ms(pico superado100 mAHora(...) |
||
DC*Gran corriente |
±100 mA |
||
Pulso*Gran pico |
±1A |
||
Pulso*Gran valor base |
±50 mA(pico superado100 mAHora(...) |
||
HCSMU | |||
Rango de voltaje, resolución y precisión | |||
Rango de voltaje |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..% más mV más mV(...) |
*Gran corriente |
200 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05) |
20A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
20A |
20 V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
20A |
40 V |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Rango de corriente, resolución y precisión |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..%+A+A(...) |
*Alta tensión |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
40 V |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
40 V |
1 mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
40 V |
10 mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
40 V |
100 mA |
100nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
40 V |
1A |
1μA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
40 V |
20A |
20μA |
±(0.4 - sí. 2E-3+Vo x 1E-4) |
20 V |
Resolución típica |
6½Posición |
||
*Gran tensión |
±40 V |
||
*Pequeña corriente |
10pA |
||
Pulso*Gran ciclo de trabajo |
1%(pico superado1AHora(...) |
||
Pulso*Ancho pequeño |
50μs |
||
Pulso*Gran ancho |
1ms(pico superado1AHora(...) |
||
DC*Gran corriente |
±100 mA |
||
Pulso*Gran pico |
±20A |
||
Pulso*Gran valor base |
±100 mA(pico superado1AHora(...) |
||
MPSMU | |||
Rango de voltaje, resolución y precisión | |||
Rango de voltaje |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..% más mV más mV(...) |
*Gran corriente |
100 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
100 mA |
1V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
100 mA |
10V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
100 mA |
100V |
100μV |
±(0.012 + 2.5 + Io x 10) |
20 mA (≥ 140V) 50 mA (≤40V) |
Rango de corriente, resolución y precisión |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..%+A+A(...) |
*Alta tensión |
1nA |
1fA |
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15) |
100V |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) |
100V |
100nA |
100fA |
±(0.05 - sí. 2E-11 - sí. Vo x 1E-13) |
100V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) |
100V |
10μA |
10pA |
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) |
100V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) |
100V |
1 mA |
1nA |
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) |
100V |
10 mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
100V |
100 mA |
100nA |
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) |
20 V |
Resolución típica |
6½Posición |
||
*Gran tensión |
±100V |
||
*Pequeña corriente |
1fA |
||
HVSMU | |||
Rango de voltaje, resolución y precisión | |||
Rango de voltaje |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición±(%+mV) |
*Gran corriente |
200V |
200 uV |
±(0,03 + 40) |
10 mA |
500V |
500uV |
±(0,03 + 100) |
10 mA |
1500V |
1,5 V |
±(0,03 + 300) |
10 mA |
3500V |
3.5mV |
±(0,03 + 600) |
5 mA |
Rango de corriente, resolución y precisión |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..%+A+A(...) |
*Alta tensión |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) |
3500V |
10 mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) |
1750V |
Resolución típica |
6½Posición |
||
*Gran tensión |
±3500V |
||
*Pequeña corriente |
10fA |
||
UHCU | ||
Rango de voltaje, resolución y precisión | ||
Rango de voltaje |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición±(%+mV) |
60 V |
100μV |
±(0.2+10) |
Rango de corriente, resolución y precisión |
salida/.Resolución de medición |
salida/.Precisión de medición..%+A+A(...) |
200A |
200μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
600A |
500μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
1800A |
2mA |
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo) |
Pulso*Gran ciclo de trabajo |
0,4%()600ARango);0,1%()1800ARango(...) |
|
Pulso*Ancho pequeño |
10μs |
|
Pulso*Gran ancho |
1ms()600ARango);500μs()1800ARango(...) |
|
Pulso*Gran pico |
200A,600A,1800ARango |
|
MFCMU | ||
|
frecuencia |
Rango de frecuencia |
1kHz ~ 10MHz |
*Resolución de pequeña frecuencia |
1 mHz |
|
Precisión de frecuencia |
±0,05% |
|
|
ACNivel |
Rango de nivel |
0~250mV |
resolución |
0.1mVrms |
|
precisión |
±(10%*Valor de configuración+ 2mV) |
|
|
DCSesgo |
alcance |
0 ~.±25V |
resolución |
1 mV |
|
precisión |
1% *Establecer tensión+ 8 mV |
|
Resistencia a la salida |
100Ω |
|
Configuración del lado de la prueba |
Par de cuatro extremos |
|
Tiempo de prueba |
Rápido2.5msVelocidad media90 mslento220ms |
|
Condensadores |
Rango de visualización |
0.00001pF~9.99999F |
*Alta precisión |
0,05% |
|
TH521Tabla de selección del analizador de parámetros semiconductores de la serie:
TH521-35-20 |
IV: 3500V / 20A |
TH521-35-20C |
IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-200 |
IV: 3500V/200A |
TH521-35-200C |
IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-600 |
IV: 3500V/600A |
TH521-35-600C |
IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-1800 |
IV: 3500V/1800A |
TH521-35-1800C |
IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg |
TH521Aplicación del analizador de parámetros semiconductores de la serie:
· Dispositivos de potencia semiconductores
Diodos, tripolares,MOSFET,IGBTPruebas de condensadores parasitarios como tirómetros, circuitos integrados y chips optoelectrónicos,C-VAnálisis de las características
· Materiales semiconductores
Corte de obleas,C-VAnálisis de las características
· Materiales LCD
Análisis de constantes elásticas, Corte de cristales líquidos
· Componente capacitor
CondensadorC-VPruebas y análisis de características, pruebas y análisis de sensores capacitivos
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