PEALD

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Naturaleza del fabricante: Productores

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Descripción general

El sistema peald de plasma de alto vacío de doble cámara es una extensión de la tecnología ald. a través de la introducción de plasma, se produce una gran cantidad de radicales libres activos, lo que mejora la actividad de reacción de las sustancias precursores, ampliando así el alcance de la selección y los requisitos de aplicación de ALD para las fuentes precursores, acortando El tiempo del ciclo de reacción y reduciendo al mismo tiempo los requisitos para la temperatura de deposición de la muestra, lo que puede lograr la deposición a baja temperatura o incluso a temperatura ambiente, especialmente adecuada para la deposición de películas finas en materiales sensibles a la temperatura y materiales flexibles.

Detalles del producto

I,Plasma de alto vacío de doble cámaraPEALDsistemaParámetros básicos:

Rango de precios: 1 - 2 millones

Categoría de origen: sistema nacional de depósito de capa Atómica (ald)

Tamaño del sustrato: 200 mm

Temperatura del proceso: RT - 500 ± 1ºC

Número de precursores: puede incluir hasta 3 grupos de gases de reacción de plasma y 4 grupos de precursores de reacción líquidos o sólidos

Peso: 300kg

Tamaño (wxhxd): 1400 * 1000 * 1900mm

Uniformidad: uniformidad inferior al 1%

En segundo lugar,Sistema ALD de plasma de alto vacío de doble cámaraAnálisis de los principios de aplicación:

La deposición de capa atómica es una técnica que forma una película de deposición alternando pulsos de precursores de fase gaseosa en el cuerpo de la cavidad de reacción y absorbiendo y reaccionando químicamente en el sustrato depositado, con autolimitación y autosaturación. La tecnología de deposición de capa Atómica se utiliza principalmente para depositar nanopelículas de alta precisión, sin agujeros de aguja y alta forma en sustratos de varios tamaños y formas.

Depósito de capas atómicas mejoradas por plasma (depósito de capas atómicas mejoradas por plasma,PEALD) es una extensión de la tecnología ald, a través de la introducción de plasma, se produce una gran cantidad de radicales libres activos, lo que mejora la actividad de reacción de las sustancias precursores, ampliando así el alcance de la selección y los requisitos de aplicación de ALD para las fuentes precursores, acortando el tiempo del ciclo de reacción, pero también reduciendo los Requisitos para la temperatura de deposición de la muestra, que puede lograr la deposición a baja temperatura o incluso a temperatura ambiente, especialmente adecuada para la deposición de película delgada en materiales sensibles a la temperatura y materiales flexibles.

3. Xiamen yimao Technology co., Ltd. le proporciona parámetros, precios, modelos, principios y otra información, el origen es fujian, la marca es yimao, el modelo es qbt - a, el precio es de 1 millón a 2 millones de yuanes, se puede consultar más información relevante, el teléfono de servicio al cliente de la compañía le sirve las 7 * 24 horas.

4. principales parámetros técnicos:

V. presentación de los resultados de las pruebas:

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