Mapa de defectos de escaneo láser

NegociableActualización en01/27

modelo

Naturaleza del fabricante: Productores

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Descripción general

El imagero de defectos de escaneo láser es una versión actualizada de la prueba de corriente de inducción de haz láser (lbic). Utiliza rayos láser con una energía de longitud de onda superior a la brecha de banda de los semiconductores para irradiar los semiconductores y producir pares de agujeros electrónicos. Al escanear rápidamente la superficie de la muestra, se obtiene una distribución de imágenes que revela cambios en la corriente interna, analizando así la distribución de varios defectos. Esto ayuda a analizar la calidad de la preparación de la muestra y ayuda a mejorar el proceso.

Detalles del producto

Presentación del producto

Comprender el panorama completo en 4 minutos y escanear un área de 100 mm x 100 mm a una resolución de 50 micras

　　EmocionanteLuzEl imagero de defectos de escaneo es una versión actualizada de la prueba de corriente de inducción de haz láser (lbic). Utiliza haces láser con una energía de longitud de onda superior a la brecha energética de los semiconductores para irradiar los semiconductores y producir pares de agujeros electrónicos. Al escanear rápidamente la superficie de la muestra, se obtiene la distribución de imágenes que revelan los cambios en la corriente interna para analizar la distribución de varios defectos. Esto ayuda a analizar la calidad de la preparación de la muestra y ayuda a mejorar el proceso de preparación.

Características

●Distribución de la corriente fotogénica de escaneo

●Distribución de tensión óptica de escaneo

●Escaneo de la distribución del voltaje abierto y la corriente de cortocircuito

●Análisis de la contaminación superficial

●Análisis de la distribución de las zonas de cortocircuito

●Identificación y análisis de áreas de microcracks

●Análisis de la distribución de la longitud de difusión de unos pocos portadores (función de selección)

aplicación

雷射扫描缺陷图谱仪

Distribución de fotoelectricidad en células solares de silicio (405 nanómetros)

雷射扫描缺陷图谱仪

Escaneo de células solares de cristal de silicio de 6 pulgadas (17 segundos)

雷射扫描缺陷图谱仪

Células solares de Perovskita

雷射扫描缺陷图谱仪

Mapa de distribución de la corriente de respuesta óptica lsd4 - OPV

雷射扫描缺陷图谱仪

Mapa de distribución de la corriente de respuesta óptica lsd4 - OPV

Análisis de la no uniformidad con una resolución de 50 micras

Detección de la relación vertical y horizontal bus / puerta (análisis de sección transversal)

Alta repetibilidad (6 repeticiones)

especificación

proyecto	Descripción de los parámetros.
función	R. utilizar rayos láser de longitud de onda con energía superior a la brecha de banda del Semiconductor para generar pares de agujeros electrónicos en el semiconductor, explorar el impacto de la zona de agotamiento en los cambios de corriente interna y comprender y analizar la distribución de varios defectos como la dirección de la mejora del proceso. Capaz de escanear la distribución de la corriente fotogénica en la superficie de la muestra. C. capaz de escanear la distribución del voltaje óptico en la superficie de la muestra. D. capaz de escanear la distribución del voltaje abierto y la corriente de cortocircuito. Capaz de analizar la contaminación superficial. F. capaz de analizar la distribución de las zonas de cortocircuito. G. capaz de identificar y analizar áreas de microcracks. H. capaz de analizar la distribución de la longitud de difusión de unos pocos transportistas (opcional).
Fuente de estimulación	Láser de 405 ± 10 nm Láser de 520 ± 10 nm Láser de 635 ± 10 nm Láser de 830 ± 10 nm
Área de escaneo	≥ 100 mm × 100 mm
Tamaño del punto láser	Cerca del punto de modo tem00
Resolución de topografía y Cartografía	R. resolución de escaneo ≤ 50 micras La resolución de escaneo se puede configurar a través del software
Tiempo de topografía y Cartografía	Menos de 4 minutos (100 mm x 100 mm, resolución 50 um)
Aspectos	60 cm * 60 cm * 100 cm
software	A. visualización 3D del lbic Análisis de sección transversal b.2d (relación de aspecto del electrodo) Análisis de la distribución de la respuesta de fotocorriente (combinado con fuentes láser de longitud de onda larga) Función de conservación y exportación de datos

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