Recubrimiento por pulverización de plasma SemiconductorEl método de pulverización secundaria se utiliza ampliamente en la preparación de muestras Sem o pruebas de recubrimiento metálico. Utilizando el proceso de pulverización de plasma de baja temperatura, no hay alta temperatura durante el proceso de recubrimiento y no es fácil producir daños térmicos. El pequeño chorro de plasma utiliza un sistema de control plc, y todas las pantallas táctiles funcionan para facilitar el aprendizaje y el uso. Este modelo de instrumento también está equipado con una mesa de muestra giratoria, que puede mejorar efectivamente la uniformidad del recubrimiento. (este equipo está equipado con una mesa de muestras de calentamiento rotativo, que puede mejorar la uniformidad del recubrimiento y la adherencia de la película) este pequeño chorro de plasma utiliza un sistema de control plc, todo el funcionamiento de la pantalla táctil, lo que facilita el aprendizaje y el uso.
Principio de funcionamiento:
excitación por plasma:
Se introducen gases inertes como el argón (ar) y se ionizan bajo un campo eléctrico para formar plasma de alta densidad.
chorro de bombardeo de iones:
Un haz de iones de alta energía (energía superior a 1 kev) bombardea un objetivo metálico o compuesto, haciendo que los átomos del objetivo se escape para formar un haz molecular direccional.
depósito de película fina:
Los átomos salpicados se depositan en una película en la superficie del sustrato, y el espesor se monitorea en tiempo real a través de un resonador de cristal de cuarzo.
Limpieza periódica:
Limpieza de la Cámara de vacío: después de la deposición, se utiliza una mezcla de hidrógeno y nitrógeno al 5% para eliminar el plasma residual, y la lámina de aluminio de la pared interior se reemplaza cada 10 ciclos.
Mantenimiento del objetivo: el objetivo metálico Pule la superficie cada 50 horas, y el objetivo de óxido detecta grietas regularmente.
Mantenimiento del sistema central:
Sistema de vacío:
El aceite de la bomba molecular se cambia cada 500 horas, y la bomba mecánica limpia el filtro trimestralmente.
El anillo de sellado se inspecciona y deforma mensualmente, y el anillo o se reemplaza obligatoriamente cada seis meses.
Sistema eléctrico:
La capa de aislamiento del cable de alta tensión se prueba semanalmente para resistir la presión (> 10 kv).
El disipador de calor de la fuente de alimentación de plasma elimina el polvo cada dos semanas para evitar la descarga de arco.
Manejo de emergencia de fallas:
Inestabilidad del arco de pulverización: Corte inmediato de energía, Cinta aislante para aislar las piezas metálicas expuestas.
El vacío disminuye demasiado rápido: compruebe el anillo de sellado de la brida y localice el punto de fuga mediante la detección de fugas de helio.
La uniformidad de la película está por encima de la diferencia: calibrar la velocidad de revolución / rotación del soporte.