Interruptor de umbral bidireccional..OTS) dispositivosEs un componente clave de la evolución de la memoria de una estructura bidimensional a tridimensional, y su estructura central está compuesta por electrodos / películas / electrodos de azufre. Entre ellos, las películas de azufre GE - se se han convertido en las más preocupadas por sus excelentes características de conmutación.Sistema de materiales otsSin embargo, la estructura de la banda de Valencia y la estructura atómica del sistema en diferentes intervalos de composición (especialmente las regiones ricas en selenio y germanio) aún no se han revelado completamente. Para superar este problema, el equipo del Profesor Zhu Min de la Universidad Jiaotong de Shanghai ySemer Fischer TechnologyLa cooperación Sur - Sur entre GE qingqin y shi, utilizandoLa Plataforma qxi XPS de symerfly escalabSe ha estudiado sistemáticamente la estructura electrónica y la distribución de bonos de GE se (x = 0 - 100%) en todo el rango de composición. Los resultados relevantes se toman como "Análisis de espectroscopia fotoelectrónica de rayos X de chalcogénidos Ge-Se"Publicado bajo el título.

El equipo de investigación reconstruyó y analizó el nivel de energía y la estructura de la banda de Valencia del núcleo Ge 3D a través de XPS de alta resolución, y estableció una correlación cuantitativa entre los cambios en el contenido de ge, la transformación del entorno de coordinación y la redistribución del tipo de enlace. Los resultados del estudio muestran que el sistema GE - se presenta tres tipos de regiones estructurales en diferentes intervalos de componentes: la región rica en selenio (x < 40%) mantiene una estructura de coordinación ge: se de 4: 2; La zona de transición rica en germanio (x = 40 - 60%) muestra que la coordinación GE - se de 3: 3 compite con el enlace homopolar GE - ge; La región dominada por germanio (x ≥ 70%) mostró que más del 72% de los enlaces eran enlaces GE - GE homopolares.

Además, a través del análisis del espectro de bandas de precios, también se encontró la disociación de la cadena de selenio y la formación de diferentes tipos de enlaces GE - se y enlaces GE - GE homopolares. Estos resultados establecen la relación componente - estructura en los sulfuros GE - se, lo que indica que el control de la incorporación de Ge puede optimizar el rendimiento de ots a través de la ingeniería de unión mediada por defectos.

El estudio no solo profundiza la comprensión de la estructura electrónica de los materiales de azufre GE - se, sino que también proporciona nuevas ideas para el diseño de materiales ots de alto rendimiento y el desarrollo futuro de tecnologías de almacenamiento de alta densidad.

Figura 1. serie GE_xVer_1–xEvolución del mapa de niveles de energía del núcleo ge3d de la película delgada con componentes

Figura 2. serie de análisis de bandas de precios Ge a través de XPS_xVer_1−xEstructura electrónica de Valencia de la película delgada

Figura 3. comparación del espectro de banda de Valencia XPS entre muestras ricas en selenio y muestras ricas en germanio

SemerfeiSistema escalab qxi XPSHa desempeñado un papel importante en esta investigación, y su capacidad de detección de alta resolución y alta sensibilidad proporciona un soporte técnico confiable para el análisis de estructuras a nivel atómico. Estos hallazgos no solo profundizan nuestra comprensión de la evolución de la estructura electrónica del sistema GE - se, sino que también proporcionan nuevas ideas y métodos para el diseño futuro de materiales de memoria de alto rendimiento. Semerfei continuará trabajando para proporcionar a los investigadores científicos instrumentos y soluciones avanzadas para ayudar a los avances continuos en la investigación científica.