Como equipo central de procesamiento de semiconductores, microelectrónica y materiales avanzados, la máquina de grabado por plasma debe considerar factores multidimensionales como el rendimiento técnico, la compatibilidad del proceso, la capacidad de expansión y el soporte del servicio. A continuación se detallan los puntos clave de compra:
I. principios técnicos y selección de modelos
La máquina de grabado por plasma produce plasma a través de gas ionizado de energía de radiofrecuencia o microondas, utilizando la sinergia de bombardeo físico y reacción química para lograr la eliminación de materiales. Los modelos principales incluyen:
- grabado de iones reactivos (rie): dependiendo del plasma acoplado capacitivamente, adecuado para el grabado de materiales básicos, de bajo costo pero uniformidad limitada.
- plasma acoplado inductivamente (icp): plasma de alta densidad generado a través de campos magnéticos de alta frecuencia, con altas tasas de grabado (hasta 1 μm / min) y características de bajo daño (energía iónica inferior a 10 ev), adecuado para el procesamiento de estructuras de relación profundidad - ancho.
- grabado de capa Atómica (ale): basado en el ciclo "depósito - reacción - desprendimiento", se puede lograr una precisión nanométrica, adecuada para el grabado de capas apiladas 3D nand.
II. parámetros básicos de rendimiento
Precisión y uniformidad del grabado: los procesos avanzados (por ejemplo, por debajo de 3 nm) requieren que el equipo tenga una uniformidad en la placa ≤ 1%, y la rugosidad de la pared lateral se controla dentro de 1 nm. El rango de control de temperatura del Oxford plasma pro System 133 icp380 alcanza - 20 ° C a 80 ° c, lo que puede garantizar la consistencia de estructuras complejas.
Sistema de control de temperatura: el control dinámico de la temperatura afecta directamente la velocidad y morfología del grabado. La serie sentech si 500 utiliza tecnología de enfriamiento trasero de helio, que admite un ajuste de dominio ancho de - 150 ° C a + 400 ° c, y el modo de baja temperatura puede reducir el daño de la pared lateral del grabado de dispositivos ópticos.
III. compatibilidad y escalabilidad del proceso
- adaptabilidad de múltiples materiales: es necesario verificar el rendimiento de grabado del equipo a base de silicio, semiconductores compuestos (gan / sic), metales (cu / al) y materiales dieléctrico. Por ejemplo, la mezcla de gas cl₃ / BCL ₃ es adecuada para el grabado de interconexión de cobre, mientras que SF ₆ es más adecuada para el procesamiento de aluminio.
Diseño modular: los escenarios de producción en masa recomiendan equipos de agrupación, admiten la integración de hasta cinco módulos de proceso, son compatibles con el recubrimiento ALD y la deposición pecvd, y logran un procesamiento de ventanilla única.
IV. inteligencia y servicios
- sistema de control inteligente: se da prioridad a los equipos equipados con algoritmos de ia, que pueden optimizar la proporción de gas y los parámetros de potencia en tiempo real y reducir los errores de intervención manual. Algunos modelos tienen monitoreo espectral OES incorporado para juzgar con precisión el punto final del grabado y evitar problemas de grabado excesivo.
- capacidad del proveedor: inspeccionar la red de soporte técnico localizado del fabricante y la velocidad de respuesta post - venta. Las principales marcas como Oxford instruments ofrecen mantenimiento de ciclo de vida completo, que cubre la calibración regular, el reemplazo de piezas de repuesto y la actualización de la base de datos de procesos.
V. análisis costo - beneficio
Contabilidad de costos de ciclo completo: además de los costos iniciales de adquisición, es necesario evaluar el consumo de energía (el consumo de energía del modelo ICP es aproximadamente 1,5 veces mayor que el de rie), la frecuencia de mantenimiento y la utilización de la capacidad. Tomando como ejemplo la línea de producción de obleas de 300mm, aunque el precio unitario del equipo ICP es alto, su ventaja de velocidad de grabado puede reducir el costo de una sola pieza en más del 20%.