Depósito de película finaSe recubre con una película sobre el material principal del sustrato del semiconductor. Esta película puede tener una variedad de materiales, como sílice compuesta aislada, polisilicio semiconductor, cobre metálico, etc.Este dispositivo utilizado para el recubrimiento se llama equipo de depósito de película delgada.

Desde el punto de vista del proceso de producción de chips semiconductores, se encuentra en el proceso de canal delantero.

Proceso de preparación de películasSegún su método de formación de película, se puede dividir en dos categorías principales:Depósito físico en fase de vapor (pvd) y depósito químico en fase de vapor (cvd),entreLa proporción de equipos de proceso CVD es mayor.

Depósito físico en fase de vapor (pvd)Se refiere a la gasificación de la superficie de la fuente de material y la deposición en la superficie de la matriz a través de gas / plasma de baja presión, incluyendo evaporación, pulverización, haz de iones, etc.;

Depósito químico en fase de vapor (cvd)Se refiere al proceso de depósito de una película sólida en la superficie de una pastilla de silicio a través de una reacción química mixta de gases, que se divide en CVD atmosférica (apcvd), CVD de baja presión (lpcvd), CVD mejorado por plasma (pecvd), CVD de plasma de alta densidad (hdpcvd) y depósito de capa Atómica (ald) según las condiciones de reacción (presión, precursor).