Optimización del diseño del equipo

Instalación de anillos de enfoque: los anillos de enfoque se instalan alrededor del borde de la obleas, lo que puede llenar la diferencia de altura entre el borde de la obleas y el electrodo, haciendo que la vaina sea más plana, asegurando que los iones puedan bombardear verticalmente la superficie de la obleas, evitando distorsiones de grabado y mejorando así la uniformidad del grabado.

Optimizar la distribución del gas de reacción: mejorar la uniformidad del grabado optimizando el modo de inyección del gas de reacción. Por ejemplo, la cavidad de grabado de silicio puede evolucionar gradualmente de la forma en que se inyecta gas alrededor de la obleas a la inyección por encima del Centro de la obleas.

Ajustar la distancia de separación entre las placas superior e inferior: en la cavidad de plasma acoplado capacitivamente (ccp), la brecha entre el cátodo y el ánodo es un parámetro clave que afecta la uniformidad del flujo de iones. Por lo general, cuanto menor sea la brecha, mejor será la uniformidad del plasma, y la tecnología de brecha ajustable se puede utilizar para optimizar la distribución del flujo de iones de acuerdo con diferentes condiciones de proceso.

Adoptar el control de temperatura por zonas: la temperatura de la obleas es un factor clave que afecta la uniformidad del grabado. el Chuck electrostático (esc) puede optimizar la uniformidad de la temperatura introduciendo diferentes áreas de calentamiento o enfriamiento, como el desarrollo de un control de temperatura de una sola zona temprana a un control de temperatura de dos zonas, un control de temperatura de cuatro zonas e incluso el despliegue de más de 100 elementos de calentamiento locales para mejorar aún más la precisión del control de temperatura.

Ajuste de los parámetros del proceso

Optimizar la composición del gas y el método de inyección: ajustar la posición de inyección del gas de reacción principal o inyectar el gas de ajuste en diferentes posiciones para controlar el entorno químico de fase de gas en la obleas y mejorar la uniformidad del grabado.

Aumentar la Potencia de radiofrecuencia: aumentar adecuadamente la Potencia de radiofrecuencia puede aumentar la energía de las partículas incidente para que bombardeen la superficie del objetivo de manera más vertical, reduciendo así las diferencias en la velocidad de grabado de las paredes laterales, lo que ayuda a reducir el efecto de microranura y mejorar la uniformidad del grabado.

Implementar el grabado intermitente: interrumpir periódicamente el proceso de grabado y dar tiempo suficiente a los electrones para escapar puede reducir significativamente el efecto de carga y, a su vez, mejorar la uniformidad del grabado.

Realizar el control del proceso compensatorio: cuando la tasa de grabado de un paso es más rápida en la zona central, se puede compensar aumentando la tasa de grabado de borde, como el control preciso con la ayuda de la máquina beveletch.