Fabricación de matriz ganled: Xiamen SMIC Crystal Research Semiconductor co., Ltd. utiliza el sistema de grabado de plasma nordson marchrie - 1701 para fabricar una matriz de diodos emisores de luz de nitruro de galio (gan) utilizando plasma sf6. Las láminas de extensión ganled a base de zafiro de 2 pulgadas se cortan en un chip de 1 cm x 1 cm, y el cobre se utiliza como material de máscara para el patrón a través de la litografía ultravioleta. Durante el proceso de grabado, se estudiaron los efectos de diferentes Potencias de radiofrecuencia y sustratos portadores en la tasa de grabado de gan, así como la rugosidad de la superficie causada por el grabado. Finalmente, se fabricó con éxito una matriz LED de alta densidad, que mejoró la uniformidad del grabado y la rugosidad de la superficie mediante la adición de un sustrato portador, y redujo la resistencia al contacto entre el metal y gan mediante el recocido a alta temperatura.

Grabado en el proceso previo al chip avanzado: primanova de Zhongwei ® Equipos de grabado de plasma acoplado inductivamente, aplicados al grabado de dispositivos semiconductores de 7 nanómetros, 5 nanómetros y más avanzados. El equipo adopta la tecnología de grabado de plasma acoplado inductivamente con derechos de propiedad intelectual independientes, con diseños innovadores como una cavidad de reacción completamente simétrica y una velocidad de bombeo Molecular súper alta. Se puede utilizar en una variedad de procesos de grabado de conductores, como el grabado de aislamiento de zanjas poco profundas (sti), el grabado de puertas de polisilicio; También se puede utilizar para el grabado dieléctrico, como el grabado de pared de brecha (spaceretch), que puede proporcionar una ventana de proceso más amplia para la fabricación de chips, lograr un menor costo de fabricación, ha funcionado normalmente en varias líneas de producción de clientes y el rendimiento es estable.

Grabado de puerta de obleas de 8 pulgadas: en el proceso de grabado de puerta de obleas de 8 pulgadas, se utiliza un sistema compuesto combinado gxs con una máquina de grabado de plasma. Los datos de producción de la fábrica de chips muestran que la combinación puede estabilizar el vacío de la cavidad grabada en 5 × 10⁻ mbar, lo que hace que la tasa de grabado de sio alcance los 1.200 0 / min, y el error de uniformidad en la placa sea ≤ 1,5%. En comparación con el esquema de bomba de sellado de aceite utilizado anteriormente, la tasa de defectos después del grabado se redujo del 0,35% al 0,08%, y la capacidad anual de un solo equipo aumentó en aproximadamente 2.300 piezas.

Proceso de interconexión de cobre semiconductor: en el proceso de interconexión de cobre semiconductor, se utiliza una máquina de grabado por plasma para procesar la capa de óxido metálico. A través de un proceso específico, los residuos de óxido se pueden controlar a menos de 0,5 nm, lo que mejora efectivamente la calidad del proceso. En el embalaje a nivel de obleas, la tasa de rendimiento aumentó del 92% al 99,6% después de usar este proceso.