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Jiangsu Leibo Scientific Instrument Co., Ltd
¡¡ la eficiencia de raspar y aplicar fapbi3 alcanza el 25,2%! ¡¡ el equipo de la Universidad de Zhejiang estableció un nuevo récord con la máquina de limpieza de plasma Leibo y la máquina de recubrimiento!
Fecha:2025-12-23Leer:2
El equipo de Chen hongzheng de la Universidad de Zhejiang publicó en Energy & Environmental Science un trabajo de investigación titulado "bimolecular Amines vapor passivation for effective perovskite Solar Cells Base on Blade - Coated fapbi3". Presentaron de manera innovadoraPasivación por vapor de Amina bimolecular (bavp)La tecnología ha logrado una preparación eficiente y a gran escala de baterías de perovskita, y también ha hecho que las baterías muestren una excelente estabilidad a altas temperaturas.
Después de secar el sustrato Ito limpiado en un horno de aire, se utilizaMáquina de limpieza por plasmaPT40K-BESe procesa durante 30 segundos y luego se pone en uso.
Al preparar la película de perovskita, la solución precursor se aplicó a la superficie del sustrato Ito / niox / me - 4pacz a una velocidad de movimiento de 15 mm / s, y luego se utilizó un cuchillo de aire seco en ambiente de baja humedad.Máquina de recubrimiento especial para Perovskita pf200 - HLlevar a cabo el tratamiento de enfriamiento.
Los datos de las pruebas muestran que las baterías procesadas por bavp no solo se obtuvieron25,2%deexcelenteEficiencia, su estabilidad es igualmente excelente: después de 2.616 horas de ciclo de temperatura a 85 ° C y 500 ciclos de temperatura de - 5 a 55 ° c, la tasa de retención de eficiencia es tan alta como99,4%y97,5%Muestra claramente las perspectivas de aplicación de esta estrategia para mejorar el rendimiento integral de la batería.
A) diagrama esquemático del proceso de pasivación por vapor de Amina bimolecular (bavp), que muestra cómo 2 (pea) y (eda) interactúan con películas de perovskita.
(b) diagrama esquemático de la adsorción de PEA en la superficie de Perovskita terminada por pbi2.
(c) diagrama esquemático de la adsorción de EDa en la superficie de Perovskita terminada por pbi2.
(d) curva de energía libre de Gibbs para la reacción de PEA con fa +.
(e) curva de energía libre de Gibbs para la reacción de eda con fa +.
A) análisis de fotoelectrónica de rayos X (xps) que muestran cambios en la energía de Unión de Pb 4f en películas de Perovskita tratadas por pea, eda y bavp.
(b) imagen del microscopio de fuerza de sonda Kelvin (kpfm) de película de Perovskita pasivada por solución y (c) tratada por bavp.
(d) Grupo de control, tratamiento (e) bavp y tratamiento de pasivación de solución (f) espectros de difracción de rayos X de incidencia de saqueo de resolución profunda (gixrd) de películas de perovskita.
(a) mapa de alineación de niveles de energía de películas de Perovskita bajo diferentes tratamientos de aminas.
(b) la diferencia entre el Fondo de la banda de conducción de Perovskita y el nivel de energía de Fermi de las películas de Perovskita bajo diferentes tratamientos.
(c) espectro de fotoluminiscencia en Estado estable (pl).
(d) curva de atenuación de fotoluminiscencia resuelta en el tiempo (trpl).
E) valores de rendimiento cuántico PL (plqy).
(f - h) mapa de distribución de la intensidad PL de películas de Perovskita tratadas por diferentes métodos de pasivación.
(a) estructura del dispositivo de las células solares de Perovskita invertidas utilizadas en este estudio.
B) la curva J - V de los dispositivos de pequeña superficie no tratados y tratados con diferentes aminas.
(c) curvas J - V de dispositivos procesados por métodos de pasivación a base de solución y vapor.
(d) eficiencia de conversión fotoeléctrica representativa (pce) de células y módulos solares de Perovskita invertidos preparados por el método de raspado.
E) espectros de eficiencia cuántica externa (eqe) de dispositivos de pequeña superficie procesados por diferentes métodos de pasivación.
F) curvas e imágenes J - V de módulos solares de Perovskita procesados por diferentes métodos de pasivación. G) espectrometría de resistencia electroquímica (ei) de dispositivos no tratados y tratados con diferentes aminas.
(h) fotocorriente instantánea (tpc) de dispositivos no tratados y tratados con diferentes aminas.
I) las características de la corriente de restricción de carga espacial (sclc) de los dispositivos electrónicos - solo no tratados y tratados con diferentes aminas.