-
Correo electrónico
cindy_yst@instonetech.com
-
Teléfono
18600717106
-
Dirección
109 - 878, edificio 20, patio 9, calle antai, calle del aeropuerto, Distrito shunyi, Beijing
Acerca de nosotros
Beijing Yingsitao Technology Co., Ltd
El favorito del Grupo de investigación: el sistema de depósito de capa atómica de escritorio especial para la investigación científica (ald de escritorio)
Fecha:2025-08-18Leer:3
Tecnologías AnricFundada en 2014, es reconocida experta en procesos ALD de la Universidad de harvard.Grupo de profesores Roy GordonCreado por investigadores para llenar el mercadoDeposición de capas atómicas de pequeño escritorioEl vacío (de equipos ald) es una herramienta de diseño y optimización para universidades, startups, empresas que exploran la tecnología de deposición de capas atómicas (ald), inician líneas de producción piloto y fabricantes profesionales.
La compañía se centra en la investigación de procesos y equipos de ald, y sus principales miembros técnicos son de la Universidad de harvard, que han acumulado una gran experiencia en procesos de ALD y pueden proporcionar a sus clientes soluciones complejas de personalización de procesos.Muestras pequeñas y usuarios de bajo presupuestoOpciones.
Introducción a la deposición de la capa Atómica (ald)
La deposición de capa atómica es una técnica especial de deposición química de vapor, que es un método para formar películas delgadas mediante la introducción alternativa de precursores de fase de vapor en la Cámara de reacción y la reacción química gas - sólido en la superficie de la matriz de deposición. La ALD suele estar compuesta por secuencias semireactivas de A y b, con las características de autolimitación superficial, con excelente conformabilidad tridimensional, uniformidad de gran área, control del espesor de la película de submensura y baja temperatura de crecimiento.
Principio de deposición de la capa Atómica
El principio de crecimiento de ALD es depositar películas finas capa por capa en la superficie del sustrato mediante la deposición alterna de precursores de reacción.
Un ciclo de deposición de capa Atómica se puede dividir en cuatro pasos:
1. pasar al primer precursor: introducir el primer pulso del precursor en la Cámara de reacción para que produzca una reacción de adsorción química con la superficie de la matriz;
2. limpieza con gas inerte: limpiar la Cámara de reacción con gas inerte (como nitrógeno o gas), eliminando el primer precursor no reaccionado y los subproductos producidos por la reacción;
3. pasar al segundo precursor: introducir el pulso del segundo precursor en la Cámara de reacción para que produzca una reacción química con el primer precursor adsorbido en la superficie de la matriz para generar una película delgada;
4. limpiar nuevamente con gas inerte: eliminar nuevamente el segundo precursor y subproducto no reaccionado con gas inerte.
Comparación de ALD con otros procesos de depósito de películas
Aplicación de ALD
Ventajas básicas del producto
↓ Puede proporcionar soporte de proceso de expertos en este campo
↓ Pequeño y compacto (menos espacio ocupado)
↓ Las cámaras de baja capacidad implican una rápida deposición y reducción de residuos precursores y una penetración profunda en estructuras tridimensionales
↓ Precalentamiento rápido (y enfriamiento)
↓ Corta distancia entre el cuerpo delantero y la Cámara (menos posibilidad de obstrucción de la tubería)
Depósito de capa termoatómica at 200m
La ALD más pequeña del mercado
Tan pequeño como la ALD que se puede poner en la guantera
Ald que se puede hacer en polvo
At 200m plus mejora de plasma + deposición de capa atómica térmica
At410 / 610 / 810 tipo caliente
At650p / 850p (mejora de plasma) at650t / 850t (tipo caliente)
Sistema de depósito de capa atómica térmica at - Lt
global100Varios hogaresEl cliente repite la compra | ||
número de serie |
cliente |
Área de aplicación |
1 |
Lam Research (6 unidades) |
|
2 |
Universidad de Harvard |
|
3 |
Universidad de Helsinki |
Cliente Mikko Rita y Matti Putkonen |
4 |
Universidad de Waseda (múltiples) |
Sensores, modificación de superficie, litografía de nanoimpresión, fabricación avanzada de a través de agujeros (alst) |
5 |
Instituto Nacional de Ciencias de los materiales (nims) ¿ 1 |
Phonon en la superficie y la película delgada, plasmónica a baja escala Atómica y otras dimensiones, División de órbitas giratorias en nanomateriales |
6 |
Instituto Nacional de Ciencias de los materiales (nims) ¿ 2 |
Transporte relacionado con el giro en nanotubos de carbono, fabricación y transporte molecular de nanobrecha, ingeniería de brecha de banda en grafeno, Transistor orgánico |
7 |
Universidad de Tokio |
Proceso ALD |
8 |
Universidad de Tokio |
Dr. Onaya |
9 |
Universidad de Oxford (más de 2 unidades) |
Cliente Sebastian Bonilla |
10 |
Precisión TEM Santa Clara, CA |
Preparación de la muestra: HFO ₃, alo₃ |
11 |
Northwestern University (estados unidos) |
|
12 |
Universidad de Cambridge (reino unido) |
|
13 |
Academia de Ciencias de la información cuántica de Beijing |
|
14 |
ENS - París (francia, Universidad Normal superior) |
|
15 |
Universidad de les |
|
16 |
Universidad de Columbia Británica (canadá) |
|
17 |
Applied Materials Company (amat - applied materials) |
|
18 |
Private Company (portland, oregón, Estados unidos) 2 unidades |
Preparación de muestras de microscopía electrónica: HFO - 2, AI - 2, ta - 2 |
