El sistema de depósito de capa atómica de escritorio (ald) es un equipo de depósito de película nanométrica basado en reacciones autolimitadas en la superficie, adecuado para escenarios industriales de laboratorio y a pequeña escala, con características de alta precisión, fuerte conformabilidad y amplia compatibilidad de materiales.
Características estructurales (ventajas de escritorio)
Diseño miniaturizado: compacto (generalmente de escritorio o Gabinete pequeño vertical), ocupando poco espacio de laboratorio, sin necesidad de salas limpias separadas o grandes instalaciones de apoyo.
El volumen de la cavidad de reacción es pequeño (generalmente de unos pocos mililitros a decenas de mililitros) y el consumo de precursores es bajo, lo que es adecuado para la investigación experimental de precursores valiosos / raros.
Facilidad de operación: está equipado con una interfaz táctil visual que admite la edición gráfica de programas de depósito (configuración del tiempo de pulso del cuerpo delantero, tiempo de barrido, temperatura, número de ciclos y otros parámetros).
La carga de la muestra es simple, la mayoría de ellos utilizan mesas de muestra pequeñas (adaptadas a una variedad de formas de muestra, como discos de cristal, sustratos, polvos, dispositivos micro y nano), y algunos modelos admiten la inyección automática de muestras.
Condiciones de proceso suaves: amplio rango de temperatura de deposición (temperatura ambiente a 400 ° c, algunos modelos pueden alcanzar los 500 ° c), puede satisfacer las necesidades de reacción de diferentes precursores, adecuado para sustratos que no son resistentes a altas temperaturas (como polímeros, materiales flexibles).
La mayoría de las presiones de trabajo son de presión atmosférica o de bajo vacío (10 1 a 10 mbar), sin unidades de alto vacío, lo que reduce el costo del equipo y la dificultad de mantenimiento.
Capacidad de control precisa: equipado con un controlador de flujo de masa de alta precisión (mfc) para controlar con precisión el flujo del pulso del precursor y el barrido de gas inerte.
La uniformidad de la temperatura de la Mesa de muestra es buena (+ 1 ~ + 3 ° c), lo que garantiza la uniformidad del espesor de la película delgada en la superficie del sustrato (uniformidad < ± 2%).
escenarios de aplicación
Semiconductores y microelectrónica: película dieléctrica de puerta de alta k depositada (como al ₃o, HFO ₃), película de electrodos metálicos (como tin, w), para la investigación y el desarrollo de microtransmisores y sensores.
Nuevos materiales energéticos: depósito de películas protectoras (como lipon) en la superficie de electrodos de baterías de litio, depósito de recubrimientos antirreflectantes (como sio¿ 2, tio¿ 2) en la superficie de células fotovoltaicas, mejorando la eficiencia y estabilidad del dispositivo.
Recubrimiento funcional: preparación de recubrimiento anticorrosivo, recubrimiento resistente al desgaste, recubrimiento hidrofóbico / súper hidrofílico para la modificación de la superficie de instrumentos de precisión.
Modificación de nanomateriales: recubrimientos superficiales de nanopartículas, nanotubos de carbono y materiales mofs para regular sus propiedades ópticas, eléctricas y catalíticas.