En los campos de semiconductores, micro - nanoprocesamiento, recubrimientos ópticos y nuevos materiales energéticos, la preparación de películas de alta calidad es la piedra angular del rendimiento del dispositivo. El sistema de depósito químico de vapor mejorado por plasma, con su efecto de mejora por plasma, ha logrado una deposición eficiente de películas de alta calidad a temperaturas relativamente bajas y se ha convertido en un equipo de proceso clave en la fabricación avanzada y la investigación y el desarrollo.

　　Sistema pecvdEl núcleo de la tecnología es utilizar la actividad plasmática. Al estimular el gas de reacción (precursor) en una cavidad de vacío en un Estado de plasma, se produce una gran cantidad de iones, electrones y radicales libres altamente activos. Estos grupos activos reducen considerablemente la energía de activación necesaria para las reacciones químicas, lo que aporta dos ventajas centrales:

1. capacidad de deposición a baja temperatura: en comparación con los CVD térmicos tradicionales que requieren cientos o incluso miles de grados de temperatura del sustrato, el proceso pecvd generalmente puede lograr la deposición de películas a cientos o incluso menos grados celsius. Esta característica le permite ser ampliamente utilizado en sustratos que no son resistentes a altas temperaturas, como polímeros plásticos, chips con circuitos metálicos completados y sustratos electrónicos flexibles, lo que amplía enormemente los escenarios de aplicación.

2. excelente calidad de la película y características ajustables: la película preparada por pecvd tiene las características de densidad, uniformidad, fuerte adherencia y buena cobertura escalonada. Al controlar con precisión parámetros como la Potencia del plasma, la presión del aire, la relación de flujo de gas y la temperatura, se pueden regular efectivamente el estrés, el índice de refracción, las propiedades eléctricas (como la constante dieléctrica) y la relación Estequiometría de la película para satisfacer las diversas necesidades de aplicación.

El sistema pecvd se puede utilizar para preparar una variedad de películas funcionales, incluyendo, pero no limitado a:

1. película de nitruro de silicio: como excelente capa de pasivación, capa de enmascaramiento y capa dieléctrica, es ampliamente utilizada en circuitos integrados y células solares.

2. película de sílice: como capa dieléctrica de aislamiento común.

3. película de silicio amorfo / microcristalino de silicio: para Transistor de película delgada y células solares de película delgada.

4. película de carbono similar al diamante: se utiliza para recubrimientos protectores resistentes al desgaste y antifricción.

El sistema pecvd combina con éxito una tasa de depósito eficiente, una excelente calidad de película y condiciones de proceso suaves. Su aparición es un gran salto en la tecnología de preparación de películas finas y proporciona un fuerte apoyo técnico para el desarrollo de la industria moderna de alta tecnología.